[发明专利]用于硅表面蚀刻的方法无效
| 申请号： | 201080035664.1 | 申请日： | 2010-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102484060A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 阿梅德·A·埃尔乔哈里;于尔根·施韦肯迪克 | 申请（专利权）人： | 瑞纳有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C09K13/02;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明;杨文娟 |
| 地址： | 德国居*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 表面 蚀刻 方法 | ||
1.用于硅表面蚀刻的方法，包括下列步骤：
提供50℃至95℃温度的包含至少一种水胶体的含水碱性水胶体蚀刻液，
将所述硅表面与所述水胶体蚀刻液接触一段指定的时间，以及
从所述硅表面去除所述水胶体蚀刻液。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述水胶体蚀刻液中包含的所述至少一种水胶体的浓度为0.01至2.0克/升、优选地0.01至0.99克/升。
3.如前述任一权利要求所述的方法，其中所述水胶体蚀刻液的温度设置在65℃至90℃。
4.如前述任一权利要求所述的方法，其中所述硅表面与所述水胶体蚀刻液接触的时间为5至25分钟、优选地10至20分钟。
5.如前述任一权利要求所述的方法，其中所述水胶体蚀刻液通过将至少一种水胶体添加到含水蚀刻液中制成。
6.如前述任一权利要求所述的方法，其中所述含水蚀刻液通过将碱金属氢氧化物溶解在水中制成。
7.如前述任一权利要求所述的方法，其中KOH或NaOH用作所述碱金属氢氧化物。
8.如前述任一权利要求所述的方法，其中所述水胶体蚀刻液中包含的所述碱金属氢氧化物的浓度为10至90克/升、优选地15至30克/升。
9.如前述任一权利要求所述的方法，其中下列水胶体的至少一种作为水胶体被添加到含水蚀刻液中：淀粉、纤维素、纤维素醚、果胶、阿拉伯胶、琼脂、海藻酸钠、右旋糖酐、明胶、黄原胶。
10.如前述任一权利要求所述的方法，其中所述水胶体蚀刻液中含有异丙醇。
11.如前述任一权利要求所述的方法，其中在含水溶液中的所述至少一种水胶体被添加到所述蚀刻液中以制备所述水胶体蚀刻液。
12.如前述任一权利要求所述的方法，其中所述含水溶液是碱性的。
13.包含至少一种水胶体以及KOH或NaOH的含水溶液的水胶体蚀刻液的应用，用以调节容纳用于硅表面蚀刻的蚀刻液的池。
14.如权利要求13所述的应用，其中所述水胶体蚀刻液中包含的所述至少一种水胶体的浓度为0.01至2.0克/升、优选地0.01至0.99克/升。
15.至少一种水胶体作为添加剂添加到用于硅表面蚀刻的包含异丙醇的含水碱性蚀刻液中的应用。
16.如权利要求13至15任一所述的应用，其中所述至少一种水胶体选自以下组中：淀粉、纤维素、纤维素醚、果胶、阿拉伯胶、琼脂、海藻酸钠、右旋糖酐、明胶、黄原胶。
17.如权利要求15或16所述的应用，其中所述至少一种水胶体以一定数量添加到所述蚀刻液中，使得所获得的水胶体溶液的浓度为0.01至2.0克/升、优选地0.01至0.99克/升。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
