[发明专利]静电夹头中的点火防止无效
申请号: | 201080032793.5 | 申请日: | 2010-06-29 |
公开(公告)号: | CN102473672A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 汤姆·史蒂文森;丹尼尔·比允;绍拉·乌拉尔;巴巴克·卡德库达彦;拉金德·丁德萨 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;B23Q3/15;H02N13/00 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种静电夹头组件,包括陶瓷接触层、图案化粘合层、导电底座和地下电弧缓解层。所述陶瓷接触层和所述导电底座共同配合来限定在所述静电夹头组件的地下部分形成的多个混合气体分配通路。所述混合气体分配通路中的各个混合气体分配通路包括由导电底座提供的相对较高的电导率的表面和由陶瓷接触层提供的相对较低的电导率的表面。所述地下电弧缓解层包括相对较低电导率的层,并且该地下电弧缓解层形成在所述静电夹头组件的所述地下部分中的所述混合气体分配通路的相对较高的电导率表面之上。也提供了半导体晶片处理室。 | ||
搜索关键词: | 静电 夹头 中的 点火 防止 | ||
【主权项】:
一种静电夹头组件,包括陶瓷接触层、图案化粘合层、导电底座和地下电弧缓解层,其中:所述图案化粘合层配置为将所述陶瓷接触层固定到所述导电底座;所述陶瓷接触层和所述导电底座共同配合来限定在所述静电夹头组件的地下部分中形成的多个混合气体分配通路;所述陶瓷接触层包括接触表面和在所述陶瓷接触层的接触表面中形成的多个冷却剂端口;所述冷却剂端口与所述静电夹头组件的混合气体分配通路是流体连通的;所述混合气体分配通路中的各个混合气体分配通路包括由导电底座提供的相对较高的电导率的表面和由陶瓷接触层提供的相对较低的电导率的表面;所述地下电弧缓解层包括相对较低的电导率的层,并且该地下电弧缓解层形成在所述静电夹头组件的所述地下部分中的所述混合气体分配通路的所述相对较高的电导率的表面之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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