[发明专利]静电夹头中的点火防止无效

专利信息
申请号: 201080032793.5 申请日: 2010-06-29
公开(公告)号: CN102473672A 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 汤姆·史蒂文森;丹尼尔·比允;绍拉·乌拉尔;巴巴克·卡德库达彦;拉金德·丁德萨 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H01L21/687 分类号: H01L21/687;B23Q3/15;H02N13/00
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 李献忠
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 静电 夹头 中的 点火 防止
【权利要求书】:

1.一种静电夹头组件,包括陶瓷接触层、图案化粘合层、导电底座和地下电弧缓解层,其中:

所述图案化粘合层配置为将所述陶瓷接触层固定到所述导电底座;

所述陶瓷接触层和所述导电底座共同配合来限定在所述静电夹头组件的地下部分中形成的多个混合气体分配通路;

所述陶瓷接触层包括接触表面和在所述陶瓷接触层的接触表面中形成的多个冷却剂端口;

所述冷却剂端口与所述静电夹头组件的混合气体分配通路是流体连通的;

所述混合气体分配通路中的各个混合气体分配通路包括由导电底座提供的相对较高的电导率的表面和由陶瓷接触层提供的相对较低的电导率的表面;

所述地下电弧缓解层包括相对较低的电导率的层,并且该地下电弧缓解层形成在所述静电夹头组件的所述地下部分中的所述混合气体分配通路的所述相对较高的电导率的表面之上。

2.如权利要求1所述的静电夹头组件,其中所述地下电弧缓解层包括特征为至少有约75微米但小于约350微米的厚度的介电层。

3.如权利要求1所述的静电夹头组件,其中所述地下电弧缓解层包括特征为厚度小于所述陶瓷接触层厚度的约35%的介电层。

4.如权利要求1所述的静电夹头组件,其中所述地下电弧缓解层包括喷涂的介电涂层。

5.如权利要求1所述的静电夹头组件,其中所述地下电弧缓解层包括喷涂的氧化铝涂层。

6.如权利要求1所述的静电夹头组件,其中所述地下电弧缓解层包括喷涂的氧化铝介电层,该氧化铝介电层的特征在于其厚度小于与350微米。

7.如权利要求1所述的静电夹头组件,其中所述地下电弧缓解层包括连续或不连续的阳极氧化层或氧化铝层、氧化钇层、YAG层或它们的组合层。

8.如权利要求1所述的静电夹头组件,其中所述地下电弧缓解层包括不连续的层,所述不连续的层包括限制于所述混合气体分配通路或处于与其相对邻近的区域的相对较低的导电率的材料的部分。

9.如权利要求1所述的静电夹头组件,其中在所述静电夹头组件的所述地下部分形成的所述混合气体分配通路包括在所述导电底座的表面和/或所述陶瓷接触层的表面上形成的反钻进的凹槽。

10.如权利要求1所述的静电夹头组件,其中相对较高的电导率的气体分配通路表面由在所述导电底座的表面形成的反钻进的凹槽提供。

11.如权利要求10所述的静电夹头组件,其中相对较低的电导率的气体分配通路表面由所述陶瓷接触层的后端表面提供。

12.如权利要求10所述的静电夹头组件,其中相对较低的电导率的气体分配通路表面由所述陶瓷接触层的一个或多个侧壁表面提供。

13.如权利要求1所述的静电夹头组件,其中相对较低的电导率的气体分配通路表面由在所述陶瓷接触层中形成的反钻进的凹槽提供。

14.如权利要求13所述的静电夹头组件,其中相对较高的电导率的气体分配通路表面由所述导电底座的前端表面提供。

15.如权利要求1所述的静电夹头组件,其中所述陶瓷接触层包括带或不带痕量杂质的氧化铝电介质、氧化铝和二氧化钛电介质、氮化铝、氮化硅、碳化硅、氮化硼,氧化钇、铝酸钇或其任意组合。

16.如权利要求1所述的静电夹头组件,其中所述图案化粘合层包括与所述混合气体分配通路对齐的空隙图案。

17.如权利要求1所述的静电夹头组件,其中所述图案化粘合层包括硅树脂。

18.如权利要求1所述的静电夹头组件,其中所述图案化粘合层包括粘合剂。

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