[发明专利]导电性粒子、各向异性导电膜、接合体及连接方法无效
| 申请号： | 201080032115.9 | 申请日： | 2010-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102473479A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 石松朋之;荒木雄太 | 申请（专利权）人： | 索尼化学&信息部件株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/00 | 分类号： | H01B5/00;B22F1/02;H01B1/22;H01B5/16;H01R11/01;H05K1/14;H05K3/32;H05K3/36 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;陆惠中 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以防止凝集且在电路部件彼此之间的连接中可以破坏所述电路部件中电极表面的氧化被膜而获得高连接可靠性的导电性粒子、使用该导电性粒子的各向异性导电膜、接合体及连接方法。导电性粒子是具有芯粒子和形成于该芯粒子表面的导电层的导电性粒子，所述芯粒子为镍粒子，所述导电层为表面的磷浓度为10质量％以下的镀镍层，所述导电层的平均厚度为1nm～10nm。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 粒子 各向异性 导电 接合 连接 方法 | ||
【主权项】：
一种导电性粒子，其特征在于具有芯粒子和形成于该芯粒子表面的导电层，所述芯粒子为镍粒子，所述导电层为表面的磷浓度为10质量％以下的镀镍层，所述导电层的平均厚度为1nm～10nm。
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