[发明专利]III族氮化物半导体光元件、外延衬底有效
| 申请号： | 201080031731.2 | 申请日： | 2010-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102474076A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 善积祐介;盐谷阳平;秋田胜史;上野昌纪;京野孝史;中村孝夫 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供包含低电阻化的p型氮化镓基半导体层的III族氮化物半导体光元件。支撑体13的主面13a相对于基准平面Sc形成40度以上且140度以下的角度ALPHA，基准平面Sc正交于在该III族氮化物半导体的c轴的方向上延伸的基准轴Cx。主面13a显示出半极性及无极性中的任一种。n型GaN基半导体层15设置在支撑体13的主面13a上。n型GaN基半导体层15、有源层19及p型GaN基半导体层17排列在法线轴Nx的方向上。p型GaN基半导体层17中添加有镁作为p型掺杂剂，p型GaN基半导体层17含有碳作为p型掺杂剂。p型GaN基半导体层17的碳浓度为2×1016cm-3以上且1×1019cm-3以下。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 元件 外延 衬底 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体光元件，其中，包括：支撑体，其包含III族氮化物半导体，且具有相对于与基准轴正交的基准平面形成有限角度的主面，所述基准轴在该III族氮化物半导体的c轴方向上延伸，n型氮化镓基半导体层，其设置在所述支撑体的所述主面上，p型氮化镓基半导体层，其设置在所述支撑体的所述主面上，且添加有镁，和有源层，其在所述支撑体的所述主面上，设置在所述n型氮化镓基半导体层与所述p型氮化镓基半导体层之间；且所述有限角度在40度以上且140度以下的范围内，所述主面显示出半极性及无极性中的任一种，所述p型氮化镓基半导体层含有碳作为p型掺杂剂，所述p型氮化镓基半导体层的碳浓度为2×1016cm‑3以上，所述p型氮化镓基半导体层的碳浓度为1×1019cm‑3以下。
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