[发明专利]长波长非极性及半极性(Al,Ga,In)N基激光二极管无效
| 申请号： | 201080031130.1 | 申请日： | 2010-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102460739A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 阿尔潘·查克拉伯蒂;林佑达;中村修二;史蒂文·P·登巴尔斯 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文揭示生长于斜切非极性或半极性衬底上的激光二极管，其与常规激光二极管结构相比具有较低阈值电流密度和较长的受激发射波长，其中对于所述激光二极管：(1)n型层是在氮载气中生长，(2)量子阱层和障壁层与其它装置层相比以较慢生长速率生长(此使得p型层能够在较高温度下生长)，(3)高Al含量电子阻挡层使得在有源区域上方的层能够在较高温度下生长，且(4)不对称AlGaN SPSLS允许高Al含量p-AlGaN层的生长。使用各种其它技术来改进所述p型层的电导率并将接触层的接触电阻降到最低。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 极性 al ga in 激光二极管 | ||
【主权项】：
一种制造III族氮化物激光二极管LD结构的方法，其包括：在非极性或半极性III族氮化物衬底的离轴表面上生长LD的一个或一个以上III族氮化物装置层。
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