[发明专利]长波长非极性及半极性(Al,Ga,In)N基激光二极管

说明书

相关申请案的交叉参考

本申请案在35 U.S.C.第119(e)部分下主张共同待决且共同让与的美国临时专利申请案第61/184,729号(在2009年6月5日由阿潘查克拉博蒂(Arpan Chakraborty)、林佑达(You-Da Lin)、中村修二(Shuji Nakamura)及史蒂文P.登巴尔斯(Steven P.DenBaars)提出申请，标题为“长波长 m-平面(Al,Ga,In)N基激光二极管(LONG WAVELENGTH m-PLANE(Al，Ga，In)N BASED LASER DIODES)”，代理档案号：30794.315-US-P1(2009-616-1))的权利；

所述申请案是以引用方式并入本文中。

本申请案涉及下列共同待决且共同让与的美国专利申请案：

实用申请案第12/716,176号，其在2010年3月2日由罗伯特M.法莱尔(Robert M.Farrell)、迈克尔·伊扎(Michael Iza)、詹姆斯S.斯佩克(James S.Speck)、史蒂文P.登巴尔斯、及中村修二提出申请，标题为“改进在非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底上生长的(Ga，Al，In，B)N薄膜及装置的表面形态的方法(METHOD OF IMPROVING SURFACE MORPHOLOGY OF(Ga，Al，In，B)N THIN FILMS AND DEVICES GROWN ON NONPOLAR OR SEMIPOLAR(Ga，Al，In，B)N SUBSTRATES)”，代理档案号：30794.306-US-U1(2009-429-1)，所述申请案在35 U.S.C.第119(e)部分下主张美国临时专利申请案第61/156,710号(在2009年3月2日由罗伯特M.法莱尔、迈克尔·伊扎、詹姆斯S.斯佩克、史蒂文P.登巴尔斯及中村修二提出申请，标题为“改进在非极性或半极性(Ga，Al，InB，)N衬底上生长的(Ga，Al，In，B)N薄膜及装置的表面形态的方法”，代理档案号：30794.306-US-P1(2009-429-1))的权利；及美国临时专利申请案第61/184,535号，在2009年6月5日由罗伯特M.法莱尔、迈克尔·伊扎、詹姆斯S.斯佩克、史蒂文P.登巴尔斯及中村修二提出申请，标题为“改进在非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底上生长的(Ga，Al，In，B)N薄膜及装置的表面形态的方法”，代理档案号：30794.306-US-P2(2009-429-2)；

PCT国际专利申请案第xx/xxx,xxx号，在与本申请案同一时间的时间由阿潘查克拉博蒂、林佑达、中村修二及史蒂文P.登巴尔斯提出申请，标题为“不对称包覆的激光二极管(ASYMMETRICALLY CLADDED LASER DIODE)”，代理档案号：30794.314-US-WO(2009-614-2)，所述申请案在35 U.S.C.第119(e)部分下主张美国临时申请案第61/184,668号(在2009年6月5日由阿潘查克拉博蒂、林佑达、中村修二及史蒂文P.登巴尔斯提出申请，标题为“不对称包覆的激光二极管”，代理档案号：30794.314-US-Pl(2009-614-1))的权利；

所述申请案是以引用方式并入本文中。

关于由联邦政府发起的研究及研发的声明

本发明是根据DARPA-VIGIL所签订授予的第FA8718-08-0005号在政府支持下作出的。政府对本发明拥有一定的权利。

技术领域

本发明涉及激光二极管(LD)，具体来说涉及研发在长波长下(例如，在蓝-绿光谱范围中)发光的高效非极性及半极性LD。

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