[发明专利]半导体电极、使用半导体电极的太阳能电池、及半导体电极的制造方法无效
| 申请号： | 201080029668.9 | 申请日： | 2010-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN102460822A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 吉川雅人;宫野真理;大野信吾;西田三博;椎野修 | 申请（专利权）人： | 株式会社普利司通 |
| 主分类号： | H01M14/00 | 分类号： | H01M14/00;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体电极(10)具备配设于具有透光性的基板(11)的表面的透明电极(12)，在透明电极(12)中，在配设于基板(11)的表面的相反面配设金属氧化物层(13)，金属氧化物层(13)具有吸收透过基板(11)的光的波长中特定波长的硅微粒(15)和金属氧化物微粒(14)，硅微粒(15)配设在金属氧化物微粒(14)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电极 使用 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体电极，其具备配设于具有透光性的基板的表面的透明电极，在所述透明电极的配设于所述基板的表面的相反面配设金属氧化物层，所述金属氧化物层具有：吸收透过所述基板的光的波长中特定波长的硅微粒、和金属氧化物微粒，所述硅微粒配设于所述金属氧化物微粒之间。
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