[发明专利]半导体电极、使用半导体电极的太阳能电池、及半导体电极的制造方法无效

专利信息
申请号: 201080029668.9 申请日: 2010-04-23
公开(公告)号: CN102460822A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 吉川雅人;宫野真理;大野信吾;西田三博;椎野修 申请(专利权)人: 株式会社普利司通
主分类号: H01M14/00 分类号: H01M14/00;H01L31/04
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 电极 使用 太阳能电池 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体电极,

其具备配设于具有透光性的基板的表面的透明电极,

在所述透明电极的配设于所述基板的表面的相反面配设金属氧化物层,

所述金属氧化物层具有:

吸收透过所述基板的光的波长中特定波长的硅微粒、和

金属氧化物微粒,

所述硅微粒配设于所述金属氧化物微粒之间。

2.根据权利要求1所述的半导体电极,其中,通过用含有氢氟酸及氧化剂的蚀刻溶液蚀刻含有所述硅微粒的混合粉体,所述硅微粒形成为规定的粒径。

3.根据权利要求2所述的半导体电极,其中,在所述蚀刻时附加于所述硅微粒的表面的H原子被不饱和烃基取代。

4.根据权利要求3所述的半导体电极,其中,所述不饱和烃基具有亲水基。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体电极,其中,混合多种粒径的所述硅微粒来使用。

6.一种太阳能电池,其具备:

具有透光性且具有光入射的入射面的半导体电极、和

与所述半导体电极对向配设的对向电极、和

配设于所述半导体电极和所述对向电极之间的空间的电解质、和

将配设于所述空间的所述电解质密封的密封材料,

所述太阳能电池将入射到所述半导体电极的光的光能转换为电能,

所述半导体电极具有透明电极,该透明电极配设于具有透光性的基板的所述入射面侧的相反侧的表面,

在所述透明电极的配设于所述基板的表面的相反面配设金属氧化物层,

所述金属氧化物层具有:

吸收透过所述基板的光的波长中特定波长的硅微粒、和

金属氧化物微粒,

所述硅微粒配设于所述金属氧化物微粒之间。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池,其中,通过用含有氢氟酸及氧化剂的蚀刻溶液蚀刻含有所述硅微粒的混合粉体,所述硅微粒形成为规定的粒径。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其中,所述蚀刻时附加于所述硅微粒的表面的H原子被不饱和烃基取代。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池,其中,所述不饱和烃基具有亲水基。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的太阳能电池,其中,混合多种粒径的所述硅微粒来使用。

11.根据权利要求6至10中任一项所述的太阳能电池,其中,

所述太阳能电池具备至少一个以上中间电极,该中间电极含有具有透光性的透明基材和所述透明电极,

在所述中间电极的表面配设有所述金属氧化物层,

所述中间电极位于所述半导体电极和所述对向电极之间,

所述半导体电极和所述中间电极之间以及所述中间电极和所述对向电极之间,在填充有所述电解质的状态下用所述密封材料密封。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池,其中,

所述中间电极具备:

具有透光性的透明基材、和

配设于所述透明基材的所述入射面且在所述入射面侧的表面配设有催化剂电极的第一透明电极、和

配设于所述透明基材的所述入射面的相反面的第二透明电极。

13.根据权利要求11或12所述的太阳能电池,其中,配设于所述半导体电极的所述金属氧化物层及配设于所述中间电极的所述金属氧化物层中包含的所述硅微粒在各个所述金属氧化物层中粒径各不相同。

14.一种半导体电极的制造方法,其具有以下工序:

在非活性气氛下将含有硅源和碳源的混合物焙烧的工序、和

从所述非活性气氛中抽出生成气体并骤冷而获得含有硅微粒的混合粉体的工序、和

从所述混合粉体中提取出所述硅微粒的工序、和

在具有透光性的基板的表面配设透明电极并在所述透明电极的配设于所述基板的表面的相反面配设金属氧化物层的工序、和

使所述硅微粒吸附于所述金属氧化物层的工序。

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