[发明专利]形成电容器的方法有效
| 申请号： | 201080029584.5 | 申请日： | 2010-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN102473681A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 瓦西尔·安东诺夫;维什瓦纳特·巴特 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成电容器的方法包括在内部导电电容器电极材料上方沉积第一相的介电金属氧化物层到厚度不超过75埃。所述第一相介电金属氧化物层具有至少15的k。在所述介电金属氧化物层上方且与其成物理接触地沉积导电RuO2。然后，使所述RuO2与所述介电金属氧化物层在低于500℃的温度下退火。在所述退火期间，与所述介电金属氧化物物理接触的所述RuO2有利于所述介电金属氧化物层从所述第一相到具有高于所述第一相的k的第二结晶相的变化。将所述经退火介电金属氧化物层并入到电容器构造的电容器介电区域中。还揭示了其它实施方案。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 电容器 方法 | ||
【主权项】：
一种形成电容器的方法，其包含：在衬底上方沉积内部导电电容器电极材料；在所述内部导电电容器电极材料上方沉积第一相的介电金属氧化物层到厚度不超过75埃，所述第一相介电金属氧化物层具有至少15的k；在所述介电金属氧化物层上方并与其成物理接触地沉积导电RuO2；在沉积所述导电RuO2之后，使所述RuO2与所述介电金属氧化物层在低于500℃的温度下退火；在所述退火期间，与所述介电金属氧化物物理接触的所述RuO2有利于所述介电金属氧化物层从所述第一相到具有高于所述第一相的k的第二结晶相的变化；和将所述经退火介电金属氧化物层并入到电容器构造的电容器介电区域中，所述电容器构造包含所述内部导电电容器电极材料和包含所述经退火导电RuO2的外部导电电容器电极材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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