[发明专利]III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件有效
| 申请号： | 201080029429.3 | 申请日： | 2010-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102471931A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 石桥惠二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/34;C30B29/40;H01L21/205;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体器件(100)中，通过在表面层(12)中存在以S换算为30×1010个/cm2～2000×1010个/cm2的硫化物和以O换算为2原子％～20原子％的氧化物，在外延层(22)与III族氮化物半导体衬底(10)的界面处能够抑制C堆积。通过这样抑制C的堆积，可抑制外延层(22)与III族氮化物半导体衬底(10)的界面处的高电阻层的形成。由此，能够降低外延层(22)与III族氮化物半导体衬底(10)的界面的电阻，同时能够提高外延层(22)的结晶质量。因此，能够提高半导体器件(100)的发光强度和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 衬底 外延 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体衬底，其为用于半导体器件的III族氮化物半导体衬底，其中，在所述III族氮化物半导体衬底的表面具有表面层，所述表面层包含以S换算为30×1010个/cm2～2000×1010个/cm2的硫化物和以O换算为2原子％～20原子％的氧化物。
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