[发明专利]III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件有效
| 申请号： | 201080029429.3 | 申请日： | 2010-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN102471931A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 石桥惠二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/34;C30B29/40;H01L21/205;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 衬底 外延 半导体器件 | ||
1.一种III族氮化物半导体衬底，其为用于半导体器件的III族氮化物半导体衬底，其中，
在所述III族氮化物半导体衬底的表面具有表面层，
所述表面层包含以S换算为30×1010个/cm2～2000×1010个/cm2的硫化物和以O换算为2原子％～20原子％的氧化物。
2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体衬底，其中，所述表面层包含以S换算为40×1010个/cm2～1500×1010个/cm2的所述硫化物。
3.如权利要求1或2所述的III族氮化物半导体衬底，其中，所述表面层包含以O换算为3原子％～16原子％的所述氧化物。
4.如权利要求1～3中任一项所述的III族氮化物半导体衬底，其中，所述表面层包含以Cl换算为120×1010个/cm2～15000×1010个/cm2的氯化物。
5.如权利要求1～4中任一项所述的III族氮化物半导体衬底，其中，所述表面层包含以Si换算为100×1010个/cm2～12000×1010个/cm2的硅化合物。
6.如权利要求1～5中任一项所述的III族氮化物半导体衬底，其中，所述表面层中的碳化合物的含量以C换算为22原子％以下。
7.如权利要求1～6中任一项所述的III族氮化物半导体衬底，其中，所述表面层中的铜化合物的含量以Cu换算为150×1010个/cm2以下。
8.如权利要求1～7中任一项所述的III族氮化物半导体衬底，其中，所述表面层的表面粗糙度根据RMS基准为5nm以下。
9.如权利要求1～8中任一项所述的III族氮化物半导体衬底，其中，所述表面层的位错密度为1×106个/cm2以下。
10.如权利要求1～9中任一项所述的III族氮化物半导体衬底，其中，所述表面的法线轴相对于c轴的倾斜角度为10°～81°。
11.如权利要求1～10中任一项所述的III族氮化物半导体衬底，其中，所述表面的面取向为{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面、{10-1-1}面、{11-22}面、{22-43}面、{11-21}面、{11-2-2}面、{22-4-3}面和{11-2-1}面中的任意一个。
12.一种外延衬底，其具有权利要求1～11中任一项所述的III族氮化物半导体衬底和形成于所述III族氮化物半导体衬底的所述表面层上的外延层，所述外延层包含III族氮化物半导体。
13.如权利要求12所述的外延衬底，其中，
所述外延层包含具有量子阱结构的有源层，
所述有源层以产生波长为430nm～550nm的光的方式而设置。
14.一种半导体器件，其具备权利要求12或13所述的外延衬底。
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