[发明专利]氧化物半导体、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和显示装置有效
| 申请号： | 201080029375.0 | 申请日： | 2010-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102473727A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 太田纯史;森豪;锦博彦;近间义雅;会田哲也;铃木正彦;中川兴史;竹井美智子;春本祥征;原猛 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够实现具有稳定的晶体管特性的薄膜晶体管的氧化物半导体、具有包含该氧化物半导体的沟道层的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的氧化物半导体是薄膜晶体管用的氧化物半导体，上述氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子，当将化学计量的状态按原子单位设为100％时，上述氧化物半导体的氧含量是87～95％。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体，其特征在于：其是薄膜晶体管用的氧化物半导体，该氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子，当将化学计量的状态按原子单位设为100％时，该氧化物半导体的氧含量是87～95％。
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