[发明专利]氧化物半导体、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种氧化物半导体，其特征在于：

其是薄膜晶体管用的氧化物半导体，

该氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子，

当将化学计量的状态按原子单位设为100％时，该氧化物半导体的氧含量是87～95％。

2.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：

所述薄膜晶体管阵列基板在基板的主面上具有薄膜晶体管，

该薄膜晶体管具有包含权利要求1所述的氧化物半导体的沟道层。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：

所述薄膜晶体管还具有覆盖所述沟道层的保护层，

该保护层包括含有氧原子的材料。

4.一种显示装置，其特征在于：

包括权利要求2或3所述的薄膜晶体管阵列基板。

5.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于：

所述薄膜晶体管阵列基板在基板的主面上具有薄膜晶体管，

所述薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括：

用绝缘膜覆盖在基板的主面上形成的扫描配线的绝缘膜形成工序；

在从法线方向观察基板面时与该扫描配线重叠的位置形成氧化物半导体层的半导体层形成工序；

在该氧化物半导体层上形成信号配线和漏极电极的配线和电极形成工序；

形成覆盖该信号配线和该漏极电极的保护层的保护层形成工序；和

形成覆盖该保护层的层间绝缘膜的层间绝缘膜形成工序，

在该保护层形成工序和该层间绝缘膜形成工序之间，还包括烘焙处理工序。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于：

所述烘焙处理在薄膜晶体管阵列基板的制造工序的处理温度中最高的处理温度下进行。