[发明专利]不产生等离子体确定等离子体处理系统的准备状态有效
申请号: | 201080029269.2 | 申请日: | 2010-06-09 |
公开(公告)号: | CN102473661A | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 布莱恩·崔;允国苏;维甲压库马尔·C·凡尼高泊;诺曼·威廉姆斯 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/02;H01L21/00 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 用于帮助确定等离子体处理系统(其包括等离子体处理腔)是否准备好处理晶片的测试系统。所述测试系统可以包括至少存储测试程序的计算机可读介质。所述测试程序可以包括用于在所述等离子体处理腔中不存在等离子体时接收来源于由至少一个传感器检测到的信号的电参数值的代码。所述测试程序也可以包括使用所述电参数值和数学模型产生电模型参数值的代码。所述测试程序也可以包括比较所述电模型参数值与基准模型参数值信息的代码。所述测试程序也可以包括基于所述比较确定所述等离子体处理系统准备状态的代码。所述测试系统也可以包括执行一个或更多与所述测试程序关联的任务的电路硬件。 | ||
搜索关键词: | 产生 等离子体 确定 处理 系统 准备 状态 | ||
【主权项】:
帮助确定等离子体处理系统是否准备好处理晶片的测试系统,所述等离子体处理系统包括等离子体处理腔,所述测试系统包括:至少存储测试程序的计算机可读介质,所述测试程序至少包括:用于接收至少多个电参数值的代码,所述多个电参数值来源于由至少一个传感器检测到的信号,所述信号在没有等离子体存在于所述等离子体处理腔时由所述至少一个传感器检测到,至少使用所述多个电参数值和数学模型产生成组电模型参数值的代码,将所述成组电模型参数值与成组的基准模型参数值信息比较的代码,和至少基于所述比较的结果确定所述等离子体处理系统准备状态的代码;以及成套的电路硬件,用于执行一个或更多关联于所述测试程序的任务。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造