[发明专利]不产生等离子体确定等离子体处理系统的准备状态

说明书

技术领域

本发明涉及等离子体处理系统。本发明尤其涉及确定等离子体处理系统是否准备好执行等离子体处理。

背景技术

等离子体处理系统，诸如电容耦合等离子体(CCP)系统、电感耦合等离子体(ICP)系统和变压器耦合等离子体(TCP)系统，使用于制造晶片上设备的各种行业。例如，这些行业可以包括半导体、磁读/写和存储、光学系统以及微机电系统(MEMS)行业。等离子体处理系统可以在等离子体处理腔中产生并维持等离子体以在晶片上执行刻蚀和/或淀积，以便在晶片上形成设备特征。

总之，诸如消耗性材料的消耗、部件的变形、部件的更换等导致的等离子体处理腔的变化的原因例如是消耗性材料的消耗、部件的变形、部件的更换等，可以负面影响等离子体处理系统在处理晶片中的性能。例如，如果在等离子体处理系统不适当的次优条件下处理晶片，就可能损坏等离子体处理系统的部件，可能需要废弃并浪费可观数量的晶片，可能要浪费生产时间和其他资源，和/或制造产量可能是不合需要的。因此，执行测试以确保在处理晶片之前等离子体处理系统的准备状态可能是需要的。

惯常地，可以在等离子体处理腔中用等离子体测试处理若干测试晶片，并且可以基于测试处理的结果确定等离子体处理系统的准备状态。测试处理可引起可观数量的花费并可消耗可观数量的资源。

可替换地，为了节省花费和资源，等离子体处理系统准备状态测试可以通过比较在等离子体处理系统中测得的诸如特定位置的电压、电流和/或相位角值之类的电性能值与表明等离子体处理系统准备状态的成组“独有特征”(“fingerprint”)的或者公知的电性能值执行。产生等离子体的资源消耗和测试晶片的消耗在测试过程中是可以被避免的。然而，测得的电性能值和独有特征之间的差异可以由各种原因导致，包括功率输送系统的问题，但不限于等离子体处理腔的故障。因此，可能会提供指出等离子体处理腔问题的误测警报(false positive alarms)，并可能在设法检修无故障的等离子体处理腔中浪费大量的时间和资源。

发明内容

本发明的实施方式涉及帮助确定等离子体处理系统是否准备好处理晶片的测试系统，其中所述等离子体处理系统包括等离子体处理腔。所述测试系统可以包括存储有至少测试程序的计算机可读介质。所述测试程序可以包括接收至少多个电参数值的代码。所述多个电参数值可以来源于至少一个传感器检测到的信号。可以在所述等离子体处理腔中没有等离子体时由所述至少一个传感器检测所述信号。所述测试程序也可以包括使用至少所述多个电参数值和数学模型产生成组电模型参数值的代码。所述测试程序也可以包括将所述成组电模型参数值与成组基准模型参数值信息比较的代码。所述测试程序也可以包括基于所述比较确定所述等离子体处理系统准备状态的代码。所述测试系统也可以包括用于执行与所述测试程序关联的一项或更多任务的成套电路硬件。

上述概要只涉及本发明在此处披露的许多实施方式中的一个，且不意图限制本文的权利要求中所阐述的的本发明范围。结合附图，在以下本发明的具体实施方式中将更详细地描述本发明的这些和其他特征。

附图说明

本发明在附图中以举例的方式而非限制的方式说明，在附图中相似的参考数字指的是相似的元件，其中：

根据本发明的一个或更多实施方式，图1A示出了说明包括无等离子体测试的系统(或者NPT系统)的等离子体处理系统的方框原理图，用于测试在涉及多频而不产生等离子体的测试过程中等离子体处理系统的准备状态。

根据本发明的一个或更多实施方式，图1B示出了说明等离子体处理系统建模部分的电模型的示意图。

根据本发明的一个或更多实施方式，图2A示出了说明包括无等离子体测试的系统(或者NPT系统)的等离子体处理系统的方框原理图，用于测试在涉及多测量点而不产生等离子体的测试过程中等离子体处理系统的准备状态。

根据本发明的一个或更多实施方式，图2B示出了说明等离子体处理系统建模部分的电模型的示意图。

根据本发明的一个或更多实施方式，图3A示出了说明涉及多频的测试过程的优点的示意图。

根据本发明的一个或更多实施方式，图3B示出了说明涉及多测量点的测试过程的优点的示意图。

根据本发明的一个或更多实施方式，图4示出了说明有关NPT系统任务/步骤的流程示意图，NPT系统实施无等离子体测试的库(或者NPT库)来帮助确定等离子体处理系统的准备状态。

根据本发明的一个或更多实施方式，图5示出了说明用以确定等离子体处理系统的准备状态的有关NPT系统的任务/步骤的流程示意图。