[发明专利]通过无定形碳(少量添加硅)的含氧掺杂改善氟碳化合物(CFx)膜的粘附性的技术无效
| 申请号： | 201080028864.4 | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102460638A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 菊地良幸 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在绝缘层上形成无定形碳层的方法，所述方法包括如下步骤：利用等离子体反应工艺形成无定形碳层。无定形碳层在包含等离子体激发气体、CxHy系气体、含硅气体和含氧气体的气氛中形成。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 无定形碳 少量 添加 掺杂 改善 碳化 cfx 粘附 技术 | ||
【主权项】：
一种在绝缘层上形成无定形碳层的方法，所述方法包括如下步骤：利用等离子体反应工艺形成无定形碳层，其中，所述无定形碳层在包含等离子体激发气体、CxHy系气体、含硅气体和含氧气体的气氛中形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
