[发明专利]通过无定形碳(少量添加硅)的含氧掺杂改善氟碳化合物(CFx)膜的粘附性的技术

权利要求书

1.一种在绝缘层上形成无定形碳层的方法，所述方法包括如下步骤：

利用等离子体反应工艺形成无定形碳层，其中，所述无定形碳层在包含等离子体激发气体、C_xH_y系气体、含硅气体和含氧气体的气氛中形成。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含氧气体的流率在从10sccm到100sccm的范围内。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体激发气体的流率在从100sccm到2000sccm的范围内，所述含硅气体和所述C_xH_y系气体的流率在从10sccm到200sccm的范围内。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在从10mTorr到100mTorr的范围内的压强下、利用从1000W到3000W的范围内的微波功率形成所述无定形碳层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在引入所述含氧气体之前引入所述含硅气体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在引入所述等离子体激发气体之后、并且在引入所述含硅气体和所述含氧气体之前引入所述C_xH_y系气体。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述形成步骤期间，衬底温度被保持在约150℃到400℃之间。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述无定形碳层利用径向线缝隙天线(RLSA)微波等离子体处理装置来形成。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述无定形碳层具有多层结构。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述多层结构包含：

形成在所述绝缘层上的包含碳氢化合物的第一层；

包含用硅掺杂的碳氢化合物并形成在所述第一层上的第二层；以及

包含用硅和氧掺杂的碳氢化合物并形成在所述第二层上的第三层。

11.一种用于制造具有无定形碳层作为阻挡层的半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：

在衬底上形成氟碳化合物(CFx)层；和

利用等离子体反应工艺在所述氟碳化合物(CFx)层上形成无定形碳层，其中，所述无定形碳层在包含等离子体激发气体、C_xH_y系气体、含硅气体和含氧气体的气氛中形成。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述含氧气体的流率在从10sccm到100sccm的范围内。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述等离子体激发气体的流率在从100sccm到2000sccm的范围内，所述含硅气体和所述C_xH_y系气体的流率在从10sccm到200sccm的范围内。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，在从10mTorr到100mTorr的范围内的压强下、利用从1000W到3000W的范围内的微波功率形成所述无定形碳层。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，在引入所述含氧气体之前引入所述含硅气体。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，在引入所述等离子体激发气体之后、在引入所述含硅气体和所述含氧气体之前引入所述C_xH_y系气体。

17.根据权利要求11所述的方法，其中，在形成步骤期间，衬底温度被保持在约150℃到400℃之间。

18.根据权利要求11所述的方法，其中，所述无定形碳层利用径向线缝隙天线(RLSA)微波等离子体处理装置来形成。

19.根据权利要求11所述的方法，其中，所述无定形碳层具有多层结构。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述多层结构包含：

形成在所述绝缘层上的包含碳氢化合物的第一层；

包含用硅掺杂的碳氢化合物并形成在所述第一层上的第二层；以及

包含用硅和氧掺杂的碳氢化合物并形成在所述第二层上的第三层。