[发明专利]具有偏压材料及背侧阱的成像器无效
申请号: | 201080028850.2 | 申请日: | 2010-06-16 |
公开(公告)号: | CN102460702A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 约翰·P·麦卡滕;克里斯蒂安·亚历山德鲁·蒂瓦鲁斯;约瑟夫·苏马 | 申请(专利权)人: | 全视科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 沈锦华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 背照式图像传感器包括一个或一个以上触点植入区,所述一个或一个以上触点植入区安置成邻近于传感器层的背侧。包括但不限于导电遮光罩的导电材料安置于所述传感器层的所述背侧上方。背侧阱形成于所述传感器层中邻近于所述背侧,且绝缘层安置于所述背侧的表面上方。形成于所述绝缘层中的触点将所述导电材料电连接到相应的触点植入区。所述触点植入区的至少一部分布置成对应于一个或一个以上像素边缘的形状。 | ||
搜索关键词: | 具有 偏压 材料 背侧阱 成像 | ||
【主权项】:
一种背照式图像传感器,其包括多个像素,所述图像传感器包含:传感器层,其具有第一导电性类型,所述传感器层具有前侧及与所述前侧相对的背侧;绝缘层,其安置于所述背侧上方;一个或一个以上触点,其安置于所述绝缘层中;背侧阱,其具有第二导电性类型,所述背侧阱形成于所述传感器层中邻近于所述背侧;一个或一个以上触点植入区,其具有所述第二导电性类型,所述一个或一个以上触点植入区形成于所述背侧阱及传感器层中且接触安置于所述绝缘层中的相应触点,其中每一触点植入区具有比所述背侧阱的掺杂物浓度高的掺杂物浓度,且每一触点植入区将相应触点电连接到所述背侧阱;及导电材料,其上覆于所述绝缘层上且具有形状,其中每一触点将所述导电材料电连接到相应的触点植入区,且其中所述触点植入区的至少一部分布置成对应于一个或一个以上像素边缘的形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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