[发明专利]具有偏压材料及背侧阱的成像器

权利要求书

1.一种背照式图像传感器，其包括多个像素，所述图像传感器包含：

传感器层，其具有第一导电性类型，所述传感器层具有前侧及与所述前侧相对的背侧；

绝缘层，其安置于所述背侧上方；

一个或一个以上触点，其安置于所述绝缘层中；

背侧阱，其具有第二导电性类型，所述背侧阱形成于所述传感器层中邻近于所述背侧；

一个或一个以上触点植入区，其具有所述第二导电性类型，所述一个或一个以上触点植入区形成于所述背侧阱及传感器层中且接触安置于所述绝缘层中的相应触点，其中每一触点植入区具有比所述背侧阱的掺杂物浓度高的掺杂物浓度，且每一触点植入区将相应触点电连接到所述背侧阱；及

导电材料，其上覆于所述绝缘层上且具有形状，其中每一触点将所述导电材料电连接到相应的触点植入区，且其中所述触点植入区的至少一部分布置成对应于一个或一个以上像素边缘的形状。

2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其进一步包含连接到所述导电材料的电压端子。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的背照式图像传感器，其中所述第一导电性类型为p导电性类型，且所述第二导电性类型为n导电性类型。

4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的背照式图像传感器，其中所述导电材料为不透明材料及透明材料中的一者。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的背照式图像传感器，其中所述具有第二导电性类型的一个或一个以上触点植入区包含链接的隔离植入区。

6.一种图像捕捉装置，其包含：

图像传感器，其包含：

传感器层，其具有第一导电性类型，所述传感器层具有前侧及与所述前侧相对的背侧；

绝缘层，其安置于所述背侧上方；

一个或一个以上触点，其安置于所述绝缘层中；

背侧阱，其具有第二导电性类型，所述背侧阱形成于所述传感器层中邻近于所述背侧；

一个或一个以上触点植入区，其具有所述第二导电性类型，所述一个或一个以上触点植入区形成于所述背侧阱及传感器层中且接触安置于所述绝缘层中的相应触点，其中每一触点植入区具有比所述背侧阱的掺杂物浓度高的掺杂物浓度，且每一触点植入区将相应触点电连接到所述背侧阱；及

导电材料，其上覆于所述绝缘层上且以一形状形成，其中每一触点将所述导电材料电连接到相应的触点植入区，且其中所述触点植入区的至少一部分布置成对应于一个或一个以上像素边缘的形状。

7.一种背照式图像传感器，其包括多个像素，所述背照式图像传感器包含：

传感器层，其具有第一导电性类型，所述传感器层具有前侧及与所述前侧相对的背侧；

绝缘层，其安置于所述背侧上方；

多个触点，其安置于所述绝缘层中，其中触点定位于两个相邻像素之间的边缘处；

背侧阱，其具有第二导电性类型，所述背侧阱形成于所述传感器层中邻近于所述背侧；

一个或一个以上触点植入区，其具有所述第二导电性类型，所述一个或一个以上触点植入区形成于所述背侧阱及传感器层中且接触安置于所述绝缘层中的相应触点，其中每一触点植入区具有比所述背侧阱的掺杂物浓度高的掺杂物浓度，且每一触点植入区将相应触点电连接到所述背侧阱；及

导电材料，其上覆于所述绝缘层上且具有形状，其中每一触点将所述导电材料电连接到相应的触点植入区，且其中所述触点植入区的至少一部分布置成对应于一个或一个以上像素边缘的形状。

8.根据权利要求7所述的背照式图像传感器，其进一步包含连接到所述导电材料的电压端子。

9.根据权利要求7或权利要求8所述的背照式图像传感器，其中所述第一导电性类型为p导电性类型，且所述第二导电性类型为n导电性类型。

10.根据权利要求7到9中任一权利要求所述的背照式图像传感器，其中所述具有第二导电性类型的一个或一个以上触点植入区包含链接的隔离植入区。

11.根据权利要求7到10中任一权利要求所述的背照式图像传感器，其中所述导电材料为不透明材料及透明材料中的一者。