[发明专利]藉由表面合金化以强化半导体装置之金属化系统中铜线之电子迁移表现无效
| 申请号： | 201080026645.2 | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN102804373A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | F·福伊斯特尔;T·勒茨;A·普鲁士 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 在复杂的半导体装置中，铜金属线位于其顶接口之电子迁移表现，可藉由形成局布限制于该接口之一铜合金来强化。为此，一种合适的合金形成成分，例如铝，可于非屏蔽沉积处理之基础上提供，而可接着以一非屏蔽蚀刻处理移除，其中该生成合金之特性，可于中间的热处理中调整。 | ||
| 搜索关键词： | 藉由 表面 合金 强化 半导体 装置 金属化 系统 铜线 电子 迁移 表现 | ||
【主权项】：
一种方法，包含：形成一金属层于一含铜金属区之一显露表面上，该含铜金属区形成于一半导体装置之一金属化系统之一介电材料中；实行热处理，以形成一合金于该显露表面；以及移除该金属层之多余材料选择性至该显露表面。
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