[发明专利]成膜方法、前处理装置和处理系统无效
| 申请号： | 201080026564.2 | 申请日： | 2010-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102460653A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 松本贤治;伊藤仁;三好秀典;保坂重敏;佐藤浩;根石浩司;小池淳一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;C23C16/02;C23C16/20;H01L21/285;H01L21/3205;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明在于提供一种对具有凹部(2)的在表面形成有由low-k膜构成的绝缘层(122)的被处理体(W)形成含Mn的薄膜的成膜方法，其包括：在绝缘层的表面实施亲水化处理而形成亲水性表面的亲水化工序；通过在进行过亲水化处理的绝缘层的表面使用含Mn原料实施成膜处理形成含Mn的薄膜的薄膜形成工序。由此，在相对电容率低的由low-k膜构成的绝缘层的表面高效地形成含Mn的薄膜，例如MnOx膜。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 处理 装置 系统 | ||
【主权项】：
一种成膜方法，对具有凹部的在表面形成有由low‑k膜构成的绝缘层的被处理体形成含Mn的薄膜，该成膜方法的特征在于，包括：亲水化工序，在所述绝缘层的表面实施亲水化处理，形成亲水性表面；和薄膜形成工序，通过在进行过所述亲水化处理的所述绝缘层的表面使用含Mn原料实施成膜处理，形成含Mn的薄膜。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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