[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201080026524.8 | 申请日： | 2010-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN102460586A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 鸟毛裕二 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C17/14 | 分类号： | G11C17/14;G11C13/00;H01L21/8246;H01L27/10;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 周少杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开的是存取时间或功耗的降低与每条字线的存储位数的改善能够得到平衡的半导体器件。存储器单元阵列(1)具有存储器单元(MC)和多个单元晶体管(TRB1、TRB2)以至少一条线的宽度布置的配置，所述存储器单元(MC)包含电阻值根据流动的电流而变化的熔丝元件(F)，所述多个单元晶体管(TRB1、TRB2)并联连接至所述熔丝元件(F)。在该半导体器件中，多个单元晶体管(TRB1、TRB2)之中的要导通的单元晶体管的数目可以由要从外部输入的写入控制信号(WRITE)和内部的逻辑电路(5)(以及字线驱动器电路(4))控制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包含：存储器单元阵列，其中多个存储器单元至少布置成一行，其中存储器单元具有存储器件，其具有根据流动的电流而可变的电阻值，以及多个单元晶体管，其串联连接至存储器件，并且彼此并行地连接。
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