[发明专利]半导体芯片及其安装结构有效
| 申请号: | 201080025871.9 | 申请日: | 2010-02-02 |
| 公开(公告)号: | CN102460668A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
| 发明(设计)人: | 盐田素二;中滨裕喜;松井隆司;堀口武志 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 实现能够抑制与安装目标的基板发生连接不良且端子间被窄间距化的半导体芯片。LSI芯片(10)包括:输入凸块组(110),其包括沿底面的一个长边配置成一列的多个输入凸块(11);和输出凸块组(120),其包括沿底面的另一个长边配置成交错状的多个输出凸块(12),在该LSI芯片中,在设置有输入凸块组(110)的区域和设置有输出凸块组(120)的区域之间的区域设置有伪凸块组(130),该伪凸块组包括以在与底面的长边垂直的方向上延伸的边为长边的长方形状的多个伪凸块(不具有电连接功能的凸块)(13)。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 芯片 及其 安装 结构 | ||
【主权项】:
一种半导体芯片,其特征在于:该半导体芯片具有长方形状的底面,包括:第一突起电极组,其包括沿所述底面的一个长边配置且用于接收来自外部的输入信号的多个突起电极;和第二突起电极组,其包括沿所述底面的另一个长边配置且用于将输出信号输出到外部的多个突起电极,在所述底面,在形成有所述第一突起电极组的区域和形成有所述第二突起电极组的区域之间的区域具有第三突起电极组,该第三突起电极组包括以在与所述底面的长边垂直的方向上延伸的边为长边的长方形状的多个突起电极,包含于所述第三突起电极组中的多个突起电极,是不与外部电连接的电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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