[发明专利]粉粒产生少的强磁性材料溅射靶有效
| 申请号： | 201080025681.7 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102482765A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 荻野真一;佐藤敦;中村祐一郎;荒川笃俊 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种强磁性材料溅射靶，包含Cr为20摩尔％以下、其余为Co的组成的金属，其特征在于，该靶组织具有金属基质(A)、以及在所述(A)中的含有90重量％以上的Co的扁平状相(B)，所述相(B)的平均粒径为10μm以上且150μm以下、并且平均短径长径比为1∶2～1∶10。本发明得到可以抑制溅射时粉粒的产生、并且可以提高漏磁通，从而通过磁控溅射装置可以稳定地放电的强磁性材料溅射靶。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 磁性材料 溅射 | ||
【主权项】：
一种强磁性材料溅射靶，包含Cr为20摩尔％以下、其余为Co的组成的金属，其特征在于，该靶组织具有金属基质(A)、以及在所述(A)中的含有90重量％以上的Co的扁平状相(B)，所述相(B)的平均粒径为10μm以上且150μm以下、并且平均短径长径比为1∶2～1∶10。
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