[发明专利]粉粒产生少的强磁性材料溅射靶有效
| 申请号： | 201080025681.7 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102482765A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 荻野真一;佐藤敦;中村祐一郎;荒川笃俊 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 产生 磁性材料 溅射 | ||
【权利要求书】：
1.一种强磁性材料溅射靶，包含Cr为20摩尔％以下、其余为Co的组成的金属，其特征在于，该靶组织具有金属基质(A)、以及在所述(A)中的含有90重量％以上的Co的扁平状相(B)，所述相(B)的平均粒径为10μm以上且150μm以下、并且平均短径长径比为1∶2～1∶10。
2.一种强磁性材料溅射靶，包含Cr为20摩尔％以下、Pt为5摩尔％以上且30摩尔％以下、其余为Co的组成的金属，其特征在于，该靶组织具有金属基质(A)、以及在所述(A)中的含有90重量％以上的Co的扁平状相(B)，所述相(B)的平均粒径为10μm以上且150μm以下、并且平均短径长径比为1∶2～1∶10。
3.如权利要求1至2中任一项所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，含有0.5摩尔％以上且10摩尔％以下的选自B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta和W的一种以上元素作为添加元素。
4.如权利要求1至3中任一项所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，在溅射靶的断面中，所述相(B)所占的面积率为15～50％。
5.如权利要求1至4中任一项所述的强磁性材料溅射靶，其特征在于，金属基质(A)中含有选自碳、氧化物、氮化物、碳化物和碳氮化物的一种以上成分的无机物材料。
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