[发明专利]具有偏压正侧和背侧的影像传感器无效
申请号: | 201080025334.4 | 申请日: | 2010-06-24 |
公开(公告)号: | CN102804377A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 约翰·P·麦卡滕;克里斯蒂安·亚历山德鲁·蒂瓦鲁斯;约瑟夫·R·苏马 | 申请(专利权)人: | 全视科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 沈锦华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种背照式影像传感器包括具有第一导电类型的传感器层,所述传感器层具有前侧和与所述前侧相对的背侧。具有第二导电类型的一个或一个以上区形成于所述传感器层的至少一部分中邻近于所述前侧。所述一个或一个以上区连接到电压端子,所述电压端子用于将这些区加偏压到预定电压。具有所述第二导电类型的背侧阱形成于所述传感器层中邻近于所述背侧。所述背侧阱电连接到另一电压端子,所述另一电压端子用于以不同于所述第一预定电压的第二预定电压对所述背侧阱加偏压。 | ||
搜索关键词: | 具有 偏压 影像 传感器 | ||
【主权项】:
一种背照式影像传感器,其包含:传感器层,其具有第一导电类型,所述传感器层具有前侧和与所述前侧相对的背侧,其中所述传感器层安置于邻近于所述前侧的电路层与安置于所述背侧上方的绝缘层之间;一个或一个以上区,其具有第二导电类型,所述一个或一个以上区形成于所述传感器层的至少一部分中邻近于所述前侧,并电连接到第一电压端子,所述第一电压端子用于以第一预定电压对所述一个或一个以上区加偏压;及背侧阱,其具有所述第二导电类型,所述背侧阱形成于所述传感器层中邻近于所述背侧,并电连接到第二电压端子,所述第二电压端子用于以不同于所述第一预定电压的第二预定电压对所述背侧阱加偏压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全视科技有限公司,未经全视科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080025334.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种测量水硬度的传感装置
- 下一篇:电动汽车动力电池散热器的换热性能试验系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的