[发明专利]具有偏压正侧和背侧的影像传感器无效
申请号: | 201080025334.4 | 申请日: | 2010-06-24 |
公开(公告)号: | CN102804377A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 约翰·P·麦卡滕;克里斯蒂安·亚历山德鲁·蒂瓦鲁斯;约瑟夫·R·苏马 | 申请(专利权)人: | 全视科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 沈锦华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 偏压 影像 传感器 | ||
1.一种背照式影像传感器,其包含:
传感器层,其具有第一导电类型,所述传感器层具有前侧和与所述前侧相对的背侧,其中所述传感器层安置于邻近于所述前侧的电路层与安置于所述背侧上方的绝缘层之间;
一个或一个以上区,其具有第二导电类型,所述一个或一个以上区形成于所述传感器层的至少一部分中邻近于所述前侧,并电连接到第一电压端子,所述第一电压端子用于以第一预定电压对所述一个或一个以上区加偏压;及
背侧阱,其具有所述第二导电类型,所述背侧阱形成于所述传感器层中邻近于所述背侧,并电连接到第二电压端子,所述第二电压端子用于以不同于所述第一预定电压的第二预定电压对所述背侧阱加偏压。
2.根据权利要求1所述的背照式影像传感器,其中所述第一导电类型包含p导电类型,且所述第二导电类型包含n导电类型。
3.根据权利要求1所述的背照式影像传感器,其进一步包含:
多个光检测器,其具有所述第一导电类型,所述多个光检测器用于将入射于所述背侧上的光转换成光生电荷,每一光检测器都具有空乏区,其中所述多个光检测器安置于所述传感器层中邻近于所述前侧;
多个电荷-电压转换机构,其具有所述第一导电类型,所述多个电荷-电压转换机构安置于所述传感器层中邻近于所述前侧;及
转移栅极,其用于将每一电荷-电压转换机构电连接到相应光检测器。
4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的背照式影像传感器,其中具有所述第二导电类型的所述阱通过具有所述第二导电类型的一个或一个以上连接区电连接到所述第二电压端子。
5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的背照式影像传感器,其中具有所述第二导电类型的所述背侧阱直接连接到所述第二电压端子。
6.一种背照式影像传感器,其包含:
传感器层,其具有第一导电类型,所述传感器层具有前侧和与所述前侧相对的背侧,其中所述传感器层安置于邻近于所述前侧的电路层与安置于所述背侧上方的绝缘层之间;
一个或一个以上区,其具有第二导电类型,所述一个或一个以上区形成于所述传感器层的至少一部分中邻近于所述前侧,并电连接到第一电压端子,所述第一电压端子用于以第一预定电压对所述一个或一个以上区加偏压;
背侧阱,其具有所述第二导电类型,所述背侧阱形成于所述传感器层中邻近于所述背侧;
第二电压端子,其安置于所述传感器层的所述前侧上;及
一个或一个以上连接区,其具有所述第二导电类型,所述一个或一个以上连接区安置于所述背侧阱与所述第二电压端子之间,并电连接到所述背侧阱和所述第二电压端子,所述第二电压端子用于以不同于所述第一预定电压的第二预定电压对所述背侧阱加偏压。
7.根据权利要求6所述的背照式影像传感器,其进一步包含:
多个光检测器,其具有所述第一导电类型,所述多个光检测器用于将入射于所述背侧上的光转换成光生电荷,每一光检测器都具有空乏区,其中所述多个光检测器安置于所述传感器层中邻近于所述前侧;
多个电荷-电压转换机构,其具有所述第一导电类型,所述多个电荷-电压转换机构安置于所述传感器层中邻近于所述前侧;及
转移栅极,其用于将每一电荷-电压转换机构电连接到相应光检测器。
8.根据权利要求6或权利要求7所述的背照式影像传感器,其中所述第一导电类型包含p导电类型,且所述第二导电类型包含n导电类型。
9.一种影像撷取器件,其包含:
背照式影像传感器,其包含:
传感器层,其具有第一导电类型,所述传感器层具有前侧和与所述前侧相对的背侧,其中所述传感器层安置于邻近于所述前侧的电路层与安置于所述背侧上方的绝缘层之间;
一个或一个以上区,其具有第二导电类型,所述一个或一个以上区形成于所述传感器层的至少一部分中邻近于所述前侧且电连接到第一电压端子,所述第一电压端子用于以第一预定电压对所述一个或一个以上区加偏压;
背侧阱,其具有所述第二导电类型,所述背侧阱形成于所述传感器层中邻近于所述背侧;
第二电压端子,其安置于所述传感器层的所述前侧上;及
一个或一个以上连接区,其具有所述第二导电类型,所述一个或一个以上连接区安置于所述背侧阱与所述第二电压端子之间且电连接到所述背侧阱和所述第二电压端子,所述第二电压端子用于以不同于所述第一预定电压的第二预定电压对所述背侧阱加偏压。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的