[发明专利]半导体用基板的清洗方法以及酸性溶液无效
| 申请号： | 201080025040.1 | 申请日： | 2010-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN102449745A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 日高真人;小仓卓;菊地真衣子;景山元裕;高岛正行 | 申请（专利权）人： | 狮王株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 徐申民;侯莉 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种清洗方法，尤其可以高洁净度地除去附着在半导体用基板上的有机物污渍、粒子污渍以及金属污渍，且可以降低由于所述洁净而对环境产生的负荷。半导体用基板的清洗方法，其特征在于，包括使用清洗剂组合物清洗半导体用基板的第一清洗工序、和使用含有螯合剂(B2)的酸性溶液清洗已在所述第一清洗工序清洗过的半导体用基板的第二清洗工序，所述清洗剂用组合物含有：含有过渡金属的水溶性盐(A)、螯合剂(B1)和过氧化物(C)，且所述螯合剂(B1)的比例相对于所述含有过渡金属的水溶性盐(A)为0.5摩尔当量以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 用基板 清洗 方法 以及 酸性 溶液 | ||
【主权项】：
一种半导体用基板的清洗方法，其特征在于，包括使用清洗剂组合物清洗半导体用基板的第一清洗工序、和使用含有螯合剂(B2)的酸性溶液清洗已在所述第一清洗工序清洗过的半导体用基板的第二清洗工序，所述清洗剂用组合物包含：含有过渡金属的水溶性盐(A)、螯合剂(B1)和过氧化物(C)，且所述螯合剂(B1)的比例相对于所述含有过渡金属的水溶性盐(A)为0.5摩尔当量以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于狮王株式会社，未经狮王株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080025040.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电动全变频岩石破碎站维修起重机
- 下一篇：一种电梯轿厢顶安装机构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
