[发明专利]半导体用基板的清洗方法以及酸性溶液

说明书

技术领域

本发明涉及半导体用基板的清洗方法以及用于所述清洗方法的酸性溶液。

本申请根据2009年4月30日在日本提出申请的特愿2009-111488号主张优先权，在这里援引其内容。

背景技术

在电子设备中，由于微细的污渍会导致工作不良或性能降低，因此要求几乎完全除去比如用于半导体用基板、硬盘用基板、液晶面板等显示器用基板等的电子设备用基板上的极微小的污渍。因此，工业用领域的精密清洗需要以非常高的洁净度除去附着在电子设备用基板上的污渍。

作为所述污渍，举例有蜡等的基板固定剂、来自人体等的有机物污渍；胶体二氧化硅等的研磨剂、来自空气中的飘浮粒子等的粒子污渍；来自Fe、Na、Cu等的金属或者金属离子的金属污渍或者它们的混合物等。

以往，为了按照清洗对象电子设备基板或附着在电子设备用基板的污渍的种类来达到所要求的洁净度，提出有多种多样的精密清洗技术。

比如，以半导体用基板为清洗对象的精密清洗中，广泛使用通过过氧化氢和强酸(硫酸、盐酸等)、过氧化氢和碱(氨等)、以及氢氟酸进行清洗处理的方法、即所谓的被称为“RCA清洗”的清洗方法(比如参照非专利文献1、专利文献1)。

又，提出有除去特别使用了碳化硅的半导体装置等中的碳化硅表面的金属污渍的清洗方法(参阅专利文献2)。

现有技术

专利文献

专利文献1：日本专利特开2003-86792号公报

专利文献2：日本专利特开2005-47753号公报

非专利文献

非专利文献1：RCA Review，p.187，6月，1970

发明内容

发明要解决的课题

然而，由于“RCA清洗”通常采用分别用过氧化氢和强酸、过氧化氢和碱、以及氢氟酸进行清洗处理(多个清洗步骤)后使用大量的超纯水多次进行洗涤处理的工序(多槽浸渍式工序)，因此是一种对环境负荷较大的清洗方法。

此外，在“RCA清洗”中以高浓度且高温下使用强酸和碱，还使用毒性强的水溶液氢氟酸，因此操作性差，需要耐腐蚀或者排气等的设备。

又，将以清洗半导体硅基板为目的开发的“RCA清洗”适用于使用了与硅不同物性的碳化硅的半导体碳化硅基板的清洗时，不能得到对有机物污渍或者粒子污渍充分的清洗效果。进一步，在“RCA清洗”中为了进行金属污渍的除去和由蚀刻进行的洁净化，需要使用毒性强的水溶液氢氟酸。

在专利文献2中记载的发明，不能充分除去附着在半导体用基板的有机物污渍以及粒子污渍，对于有机物污渍以及粒子污渍，难以达到半导体用基板所要求的洁净度。

本发明是鉴于上述情况而成的，尤其课题在于：提供一种可以高洁净度除去附着在半导体用基板的有机物污渍、粒子污渍以及金属污渍、且可以降低由于所述清洗而对环境产生的负荷的清洗方法。

解决课题的手段

本发明人专心研究的结果，为了解决上述课题，提供以下方法。

即，本发明的半导体用基板的清洗方法，其特征在于，包括使用清洗剂组合物清洗半导体用基板的第一清洗工序、和使用含有螯合剂(B2)的酸性溶液清洗已在所述第一清洗工序清洗过的半导体用基板的第二清洗工序，所述清洗剂用组合物包含：含有过渡金属的水溶性盐(A)、螯合剂(B1)和过氧化物(C)，且所述螯合剂(B1)的比例相对于所述含有过渡金属的水溶性盐(A)为0.5摩尔当量以上。

在本发明的半导体用基板的清洗方法，优选所述螯合剂(B1)为多元羧酸系化合物。

又，在本发明的半导体用基板的清洗方法中，优选所述螯合剂(B2)为多元羧酸系化合物。

在发明的半导体基板的清洗方法中，优选所述螯合剂(B1)以及(B2)作为杂质含有的铁成分在0.2ppm以下。(铁成分的下限值为0.0ppm。)

又，在本发明的半导体用基板的清洗方法中，优选所述半导体用基板为半导体碳化硅基板。

又，本发明是一种酸性溶液，其特征在于，是用于所述本发明的半导体用基板的清洗方法的酸性溶液，该酸性溶液含有螯合剂(B2)。

发明的效果

根据本发明的半导体用基板的清洗方法，尤其可以高洁净度地除去附着在半导体用基板的有机物污渍、粒子污渍以及金属污渍，且可以降低由于所述洁净而对环境产生的负荷。尤其，当减少所述螯合剂(B1)以及(B2)所含有的铁成分的量时，能进一步高洁净度地除去铁成分。