[发明专利]形成包括外延层和相关结构的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201080023064.3 | 申请日： | 2010-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102449768A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | B.A.赫尔;张清纯 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/24;H01L29/45;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;王忠忠 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法可以包括在第一导电类型的半导体层中形成第一导电类型的端子区域。可以在半导体层中形成第二导电类型的阱区域，其中阱区域与半导体层中的端子区域的至少部分相邻，阱区域进入半导体层的深度可以大于端子区域进入半导体层的深度，并且第一和第二导电类型可以不同。可以在半导体层上形成外延半导体层，并且可以在外延半导体层中形成第一导电类型的端子接触区域，其中端子接触区域提供与端子区域的电接触。此外，可以在端子接触区域上形成欧姆接触。还讨论了相关结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 包括 外延 相关 结构 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在第一导电类型的半导体层中形成第一导电类型的端子区域；在所述半导体层中形成第二导电类型的阱区域，其中所述阱区域与所述半导体层中的所述端子区域的至少部分相邻，其中所述阱区域进入所述半导体层的深度大于所述端子区域进入所述半导体层的深度，以及其中第一和第二导电类型不同；在所述半导体层上形成外延半导体层；在所述外延半导体层中形成第一导电类型的端子接触区域，其中所述端子接触区域提供与所述端子区域的电接触；以及在所述端子接触区域上形成欧姆接触。
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