[发明专利]形成包括外延层和相关结构的半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在第一导电类型的半导体层中形成第一导电类型的端子区域；

在所述半导体层中形成第二导电类型的阱区域，其中所述阱区域与所述半导体层中的所述端子区域的至少部分相邻，其中所述阱区域进入所述半导体层的深度大于所述端子区域进入所述半导体层的深度，以及其中第一和第二导电类型不同；

在所述半导体层上形成外延半导体层；

在所述外延半导体层中形成第一导电类型的端子接触区域，其中所述端子接触区域提供与所述端子区域的电接触；以及

在所述端子接触区域上形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述端子区域和所述阱区域的外周界之间的与所述半导体层的表面相邻的所述阱区域的部分限定沟道，所述方法进一步包括：

在所述外延半导体层上形成与所述沟道相对的栅极绝缘层；以及

在所述栅极绝缘层上形成与所述沟道相对的栅电极。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在形成所述外延半导体层之后，形成穿过所述端子接触区域和所述端子区域的中心部分的第二导电类型的阱接触区域，其中所述阱接触区域提供与所述阱区域的电接触。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述欧姆接触包括所述端子接触区域和所述阱接触区域上的第一金属层、所述第一金属层的与所述阱接触区域相对的部分上的第二金属层、以及所述第一金属层的与所述端子接触区域相对的部分上的围绕所述第二金属层的硅层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述外延半导体层包括外延碳化硅层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中第一导电类型包括n型，第二导电类型包括p型。

7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述外延半导体层包括以第一掺杂剂浓度形成具有第一导电类型的所述外延半导体层，其中形成所述端子接触区域包括以第二掺杂剂浓度形成具有第一导电类型的端子接触区域，其中所述第二掺杂剂浓度比所述第一掺杂剂浓度大至少两个数量级。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述端子接触区域的外边缘在所述端子区域的周界周围从所述端子区域的外边缘后缩。

9.一种半导体器件，包括：

具有第一导电类型的半导体层；

所述半导体层中的第一导电类型的端子区域；

所述半导体层中的第二导电类型的阱区域，其中所述阱区域与所述半导体层中的所述端子区域的至少部分相邻，其中所述阱区域进入所述半导体层的深度大于所述端子区域进入所述半导体层的深度，以及其中第一和第二导电类型不同；

包括所述端子区域和所述阱区域的所述半导体层上的外延半导体层，其中所述外延半导体层在其中包括第一导电类型的端子接触区域，以及其中所述端子接触区域提供与所述端子区域的电接触；以及

所述端子接触区域上的欧姆接触。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述端子接触区域的外边缘在所述端子区域的周界周围从所述端子区域的外边缘后缩。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中在所述端子区域和所述阱区域的外周界之间的与所述半导体层的表面相邻的所述阱区域的部分限定沟道，所述半导体器件进一步包括：

所述外延半导体层上的与所述沟道相对的栅极绝缘层；以及

所述栅极绝缘层上的与所述沟道相对的栅电极。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，进一步包括：

穿过所述端子接触区域和所述端子区域的中心部分的第二导电类型的阱接触区域，其中所述阱接触区域提供与所述阱区域的电接触。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述欧姆接触包括所述端子接触区域和所述阱接触区域上的第一金属层、所述第一金属层的与所述阱接触区域相对的部分上的第二金属层、以及所述第一金属层的与所述端子接触区域相对的部分上的围绕所述第二金属层的硅层。

14.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述外延半导体层包括外延碳化硅层。