[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201080022258.1 | 申请日： | 2010-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102439699A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 和田圭司;玉祖秀人;增田健良;穗永美纱子 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/337;H01L21/768;H01L29/12;H01L29/417;H01L29/78;H01L29/808 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种碳化硅半导体器件，其当电极材料与内部互连的材料不同时，消除了在这些不同金属的接触界面处出现问题的可能性，并且具有甚至长期使用之后的高可靠性。该半导体器件提供有接触电极(16)，其接触碳化硅(14，18)；以及互连(19)，其与接触电极连接。接触电极(16)由含有钛、铝和硅的合金形成。互连(19)由铝或铝合金形成，并且通过接触所述接触电极来与所述接触电极相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种采用碳化硅的半导体器件，其包括接触电极以及对于所述接触电极是可导电的上部电极，所述接触电极由含有钛、铝和硅的合金形成并且与所述碳化硅相接触，所述上部电极由铝或铝合金形成，并且通过使所述上部电极与所述接触电极形成接触来实现对于所述接触电极的所述导电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
