[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种采用碳化硅的半导体器件，其包括接触电极以及对于所述接触电极是可导电的上部电极，

所述接触电极由含有钛、铝和硅的合金形成并且与所述碳化硅相接触，

所述上部电极由铝或铝合金形成，并且通过使所述上部电极与所述接触电极形成接触来实现对于所述接触电极的所述导电。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

在所述接触电极和所述上部电极之间设置阻挡层以使得所述接触电极和所述上部电极彼此不直接接触，并且通过使所述上部电极和所述接触电极与所述阻挡层形成接触来实现所述导电。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述阻挡层由钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、铌(Nb)、钒(V)、锆(Zr)、氮化钛、氮化钽、氮化钨、氮化铌、氮化钒、氮化锆、硅化钛、硅化钽、硅化钨、硅化铌、硅化钒和硅化锆之一形成。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体器件，其中，

所述接触电极与所述碳化硅形成欧姆接触。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体器件，其中，

所述接触电极与所述碳化硅的n型区域和p型区域这两者形成欧姆接触。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件，其中：

所述半导体器件是MOSFET，并且所述接触电极是源电极或漏电极，

当所述接触电极是源电极时，该源电极与源区和用于反型部形成区的接触区这两者相接触，所述反型部形成区具有与所述源区的导电类型相反的导电类型，并且，

所述上部电极是上部源极内部电极或上部漏电极。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件，其中，

所述半导体器件是JFET，所述接触电极是每个源电极、栅电极和漏电极，并且所述上部电极是每个上部源电极、上部栅电极和上部漏电极。

8.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

准备衬底；

在所述衬底上形成碳化硅外延层；

在所述碳化硅外延层上形成由含有钛、铝和硅的合金形成的电极，并且所述电极与所述碳化硅外延层形成欧姆接触；以及

与所述电极相接触地设置由铝或铝合金形成的上部电极。

9.根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，在形成所述电极的步骤中，在执行下述(1)或(2)之后，进行用于合金化的热处理，其中，

(1)在所述碳化硅外延层上形成钛层，然后在所述钛层上形成铝层，以及然后在所述铝层上形成硅层；

(2)在所述碳化硅外延层上形成钛、铝和硅的混合层。

10.根据权利要求8或9所述的制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：在形成由合金形成的所述电极之后且在设置所述上部电极之前，形成与由合金形成的所述电极相接触的阻挡层，

其中，所述上部电极被设置成接触所述阻挡层。

11.根据权利要求8-10中任一项所述的制造半导体器件的方法，其中，

在形成所述碳化硅外延层之后且在形成由合金形成的所述电极之前，在所述碳化硅外延层中形成所述碳化硅的n型区和p型区，并且

由合金形成的所述电极与所述n型区和所述p型区这两者形成欧姆接触。

12.根据权利要求8-10中的任一项所述的制造半导体器件的方法，其中：

存在两个或更多个由合金形成的所述电极，

在形成所述碳化硅外延层之后且在形成由合金形成的所述电极之前，在所述碳化硅外延层中形成所述碳化硅的n型区和p型区，并且，

在所述电极之中，使用相同材料、按照相同的处理时机来形成由合金形成并且要与所述n型区形成欧姆接触的第一电极和由合金形成并且要与所述p型区形成欧姆接触的第二电极。