[发明专利]半导体基板及其制造方法、电子器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201080022049.7 | 申请日： | 2010-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102439696A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 山中贞则;秦雅彦;福原升 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/331;H01L21/8222;H01L21/8232;H01L21/8248;H01L21/8249;H01L27/06;H01L27/08;H01L27/082;H01L29/737;H01L31/10;H01L33/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体基板及其制造方法、电子器件及其制造方法。该半导体基板具备：具有向硅导入了杂质原子的杂质区域的基底基板；与杂质区域相接地设置的多个晶种体；以及与多个晶种体的每一个相接地设置且与多个晶种体分别晶格匹配或准晶格匹配的多个化合物半导体。该半导体基板还可以进一步具备阻碍体，该阻碍体被设置于基底基板上且设有使杂质区域的至少一部分露出的多个开口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 制造 方法 电子器件 | ||
【主权项】：
一种半导体基板，其具备：具有向硅导入了杂质原子的杂质区域的基底基板；与所述杂质区域相接地设置的多个晶种体；以及与各个对应的晶种体相接地设置并与所对应的所述晶种体分别晶格匹配或准晶格匹配的多个化合物半导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
