[发明专利]用于在热扩散掺杂区域中带有激光烧结接触的太阳能电池的设备和方法无效
申请号: | 201080021680.5 | 申请日: | 2010-03-18 |
公开(公告)号: | CN102428565A | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
发明(设计)人: | 大卫·E·卡尔森;邹连城;默里·S·贝内特;乔治·黄 | 申请(专利权)人: | BP北美公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/0224 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 美国,德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及用于在热扩散掺杂区域中带有激光烧结接触的太阳能电池的设备和方法。该电池包括掺杂晶片和具有第一导电类型的多个第一高掺杂区域。该电池还包括具有与第一导电类型相反的导电类型的多个第二高掺杂区域和被布置在多个第一高掺杂区域和多个第二高掺杂区域中的每一个的至少一部分之上的钝化层。该电池还包括具有第一导体和第二导体的导体网络和将第一高掺杂区域与第一导体电连接并且将第二高掺杂区域与第二导体电连接的多个接触。 | ||
搜索关键词: | 用于 扩散 掺杂 区域 带有 激光 烧结 接触 太阳能电池 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种背接触光伏电池,所述电池包括:具有前表面和后表面的半导体材料的掺杂晶片;相对于所述后表面布置并且具有第一导电类型的多个第一高掺杂区域;相对于所述后表面布置并且具有与所述第一导电类型相反的导电类型的多个第二高掺杂区域;被布置在所述多个第一高掺杂区域、所述多个第二高掺杂区域和所述后表面中的每一个的至少一部分之上的钝化层;相对于所述钝化层布置并且具有第一导体和第二导体的导体网络;和将所述第一高掺杂区域与所述第一导体电连接和将所述第二高掺杂区域与所述第二导体电连接的多个接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的