[发明专利]用于在热扩散掺杂区域中带有激光烧结接触的太阳能电池的设备和方法

权利要求书

1.一种背接触光伏电池，所述电池包括：

具有前表面和后表面的半导体材料的掺杂晶片；

相对于所述后表面布置并且具有第一导电类型的多个第一高掺杂区域；

相对于所述后表面布置并且具有与所述第一导电类型相反的导电类型的多个第二高掺杂区域；

被布置在所述多个第一高掺杂区域、所述多个第二高掺杂区域和所述后表面中的每一个的至少一部分之上的钝化层；

相对于所述钝化层布置并且具有第一导体和第二导体的导体网络；和

将所述第一高掺杂区域与所述第一导体电连接和将所述第二高掺杂区域与所述第二导体电连接的多个接触。

2.根据权利要求1的电池，其中所述第一高掺杂区域和所述第二高掺杂区域是通过非接触印刷形成的。

3.根据权利要求2的电池，其中所述非接触印刷包括喷墨印刷、气溶胶喷射印刷或者喷射分配。

4.根据权利要求1的电池，其中所述第一高掺杂区域和所述第二高掺杂区域包括热扩散区域。

5.根据权利要求1的电池，其中所述钝化层是通过等离子体增强化学气相沉积、磁控溅射或者热丝化学气相沉积形成的。

6.根据权利要求1的电池，其中所述导体网络包括交叉指。

7.根据权利要求1的电池，其中所述多个接触包括激光烧结接触。

8.根据权利要求7的电池，其中所述激光烧结接触包括并行激光烧结接触。

9.根据权利要求1的电池，进一步包括刚好在所述后表面和所述钝化层之下的浅结发射极，并且所述浅结发射极被布置在所述多个第一高掺杂区域和所述多个第二高掺杂区域之间。

10.根据权利要求9的电池，其中所述浅结发射极包括与所述掺杂晶片相反的导电类型。

11.根据权利要求9的电池，进一步包括在所述浅结发射极和与所述浅结发射极相反的导电类型的高掺杂区域之间的隔离层或者隔离间隙。

12.根据权利要求1的电池，其中所述钝化层包括至少两个层。

13.根据权利要求13的电池，其中所述钝化层包括无定形硅层和氮化硅层。

14.根据权利要求1的电池，进一步包括刚好在所述后表面和所述钝化层之下的反型层。

15.根据权利要求14的电池，其中所述反型层由无定形硅合金的非掺杂层和具有与所述掺杂晶片相反的导电类型的高掺杂层感应。

16.一种光伏电池，所述电池包括：

具有前表面和后表面的半导体材料的掺杂晶片；

相对于所述前表面布置并且具有与所述掺杂晶片相反的导电类型的多个高掺杂区域；

被布置在所述多个高掺杂区域之间并且具有与所述高掺杂区域相同的导电类型的浅结发射极；

刚好在所述后表面之下的后表面场区域，所述后表面场区域由具有与所述掺杂晶片相同的导电类型的高掺杂区域，或者由无定形硅合金的非掺杂层和与所述掺杂晶片相同的导电类型的高掺杂层形成；

相对于所述高掺杂区域和所述浅结发射极布置的前钝化层；

相对于所述后表面场区域布置的后钝化层；

相对于所述前钝化层布置并且电连接到所述高掺杂区域的电流收集栅格；

相对于所述后钝化层布置的导体；和

将所述后表面场区域与所述导体电连接的多个接触。

17.根据权利要求16的电池，其中所述多个接触包括激光烧结接触。

18.根据权利要求17的电池，其中通过下面所述制作所述激光烧结接触：

使激光束通过衍射光学器件或者微透镜阵列以形成多个光束；和

可选地使所述多个光束通过成像系统。

19.根据权利要求18的电池，其中所述多个光束被所述衍射光学器件、所述微透镜阵列或者所述成像系统整形。

20.根据权利要求16的电池，进一步包括相对于所述前表面布置的电流收集指和选择性发射极区域的栅格。