[发明专利]具有取代栅极结构的场效应晶体管及其制造方法

摘要

显示了一种多栅极场效应晶体管以及制造多栅极场效应晶体管的方法。制造该多栅极场效应晶体管的方法包括：在多个有源区域附近形成暂时间隙壁栅极(图6的16)，并在这些暂时间隙壁栅极之上沉积介电材料(18a且在空间20中)，包括沉积于多个有源区域之间。该方法还包括：蚀刻该介电材料(20)的部分，以暴露暂时间隙壁栅极(16)，以及移除这些暂时间隙壁栅极，而在有源区域以及介电材料(18a)的余部分之间留下一空间。该方法还包括：用栅极材料填充位于有源区域之间以及介电材料(18a)的剩余部分上方的空间。

主权项

一种制造多栅极场效应晶体管结构的方法，在该多栅极场效应晶体管结构中使用多于一个的栅极接触控制输出电流，该方法包括：在作为所述多栅极场效应晶体管的鳍的多个有源区域的每一个附近形成暂时间隙壁栅极；沉积一介电材料于所述暂时间隙壁栅极之上，包括位于所述多个有源区域之间；蚀刻该介电材料的部分以暴露所述暂时间隙壁栅极；移除所述暂时间隙壁栅极，在所述有源区域与该介电材料的剩余部分之间留下空间；以及用栅极材料填充位于所述有源区域之间以及位于该介电材料的剩余部分之上的空间，其中沉积于所述有源区域与该介电材料的剩余部分之间的该栅极材料的厚度小于相邻的有源区域之间的距离的30％，其中该蚀刻该介电材料的部分以暴露所述暂时间隙壁栅极的步骤，在位于该多个有源区域之上的该介电材料中形成开口，所述开口在双金属镶嵌工艺中用该栅极材料填充。