[发明专利]磁电子器件和测量方法有效
| 申请号： | 201080021072.4 | 申请日： | 2010-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102439745A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | R.赫特尔;颜明 | 申请（专利权）人： | 于利奇研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;卢江 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 根据本发明的磁电子器件包括至少一个由铁磁材料组成的微长的工作结构，其中磁畴壁能够沿着所述工作结构迁移；用于给所述工作结构施加电流的装置；以及用于从工作结构出发的磁场的至少一个磁场传感器。根据本发明，如此设计工作结构，使得所述工作结构能够构造畴壁，其中所述畴壁的横向磁化方向在其中心在垂直于沿着工作结构的其迁移方向的平面中不具有从优方向，和/或无质量的畴壁。已识别出，这种移动的畴壁的动能消失。因此，所述动能既不遭受沃克极限也不遭受固有牵制。由此器件能够更快地读入、存储或处理和最有输出信息。本发明还涉及一种用于测量铁磁材料的非绝热自旋转移参数β的方法。该方法在更准确地研究所识别的现象的过程中得以阐明。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 器件 测量方法 | ||
【主权项】：
磁电子器件，包括至少一个由铁磁材料组成的微长的工作结构，其中磁畴壁能够沿着所述工作结构迁移；用于给所述工作结构施加电流的装置；以及用于从工作结构出发的磁场的至少一个磁场传感器，其特征在于工作结构，所述工作结构能够构成畴壁，所述畴壁的横向磁化方向在其中心在垂直于沿着工作结构的其迁移方向的平面中不具有从优方向。
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