[发明专利]磁电子器件和测量方法

权利要求书

1.磁电子器件，包括至少一个由铁磁材料组成的微长的工作结构，其中磁畴壁能够沿着所述工作结构迁移；用于给所述工作结构施加电流的装置；以及用于从工作结构出发的磁场的至少一个磁场传感器，其特征在于工作结构，所述工作结构能够构成畴壁，所述畴壁的横向磁化方向在其中心在垂直于沿着工作结构的其迁移方向的平面中不具有从优方向。

2.磁电子器件，包括至少一个微长的由铁磁材料组成的工作结构，其中磁畴壁能够沿着所述工作结构迁移；用于给所述工作结构施加电流的装置；以及用于从工作结构出发的磁场的至少一个磁场传感器，其特征在于工作结构，所述工作结构能够构成无质量的畴壁。

3.根据前述权利要求之一所述的磁电子器件，其特征在于用于给工作结构施加磁场的装置。

4.根据前述权利要求之一所述的磁电子器件，其特征在于，所述工作结构不具有垂直于沿着工作结构的畴壁迁移方向的有效的各向异性。

5.根据前述权利要求之一所述的磁电子器件，其特征在于，所述工作结构具有对称性，其中垂直于畴壁迁移方向的形状各向异性的分量消失。

6.根据前述权利要求之一所述的磁电子器件，其特征在于，工作结构至少以段的方式构成为柱形的。

7.根据前述权利要求之一所述的磁电子器件，其特征在于，工作结构至少以段的方式被构造为直柱体。

8.根据2个前述权利要求之一所述的磁电子器件，其特征在于，工作结构至少以段的方式被构造为圆柱体。

9.根据3个前述权利要求之一所述的磁电子器件，其特征在于，工作结构至少以段的方式被构造为具有多边形横截面的柱体。

10.根据前述权利要求之一所述的磁电子器件，其特征在于，工作结构至少以段的方式具有100nm或更小的直径。

11.根据前述权利要求之一所述的磁电子器件，其特征在于，工作结构至少以段的方式具有50nm或更小的直径。

12.根据前述权利要求之一所述的磁电子器件，其特征在于，由铁磁材料组成的工作结构至少以段的方式具有小于铁磁材料的交换长度的20倍的直径。

13.根据前述权利要求之一所述的磁电子器件，其特征在于，由铁磁材料组成的工作结构至少以段的方式具有小于铁磁材料的交换长度的10倍的直径。

14.根据前述权利要求之一所述的磁电子器件，其特征在于，工作结构的铁磁材料是软磁的。

15.根据前述权利要求之一所述的磁电子器件，其特征在于GMR传感器作为磁场传感器。

16.根据前述权利要求之一所述的磁电子器件，其特征在于用于测量工作结构或工作结构的段的电阻的装置。

17.用于数字数据的移位寄存器，作为根据前述权利要求之一所述的磁电子器件。

18.逻辑门，作为根据前述权利要求之一所述的磁电子器件。

19.用于测量铁磁材料的非绝热自旋转移参数β的方法，其特征在于，测量角速度，其中畴壁的磁化方向在迁移通过由铁磁材料组成的工作结构时以所述角速度围绕迁移方向旋转。

20.根据前述权利要求所述的方法，其特征在于，吉尔伯特阻尼因子的值从畴壁在外部磁场的影响下迁移通过所述工作结构的速度来确定。

21.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，自旋极化P的值从畴壁在电流影响下迁移通过工作结构的速度来确定。

22.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，非绝热自旋转移参数β从频率来确定，其中畴壁的磁化方向在流经工作结构的电流的影响下以所述频率完成偶极子振荡。