[发明专利]电容传感器装置有效
| 申请号： | 201080021037.2 | 申请日： | 2010-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN102439851A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | J·K·雷诺;K·哈格里夫斯;S·沙帕尼亚;P·埃克 | 申请（专利权）人： | 辛纳普蒂克斯公司 |
| 主分类号： | H03K17/96 | 分类号： | H03K17/96;H03K17/955;G01L1/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 俞华梁;王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 电容传感器装置包括第一传感器电极、第二传感器电极以及处理系统，该处理系统与第一传感器电极和第二传感器电极相耦合。处理系统配置成通过利用第一传感器电极发射和接收第一电信号来获取第一电容测量。处理系统配置成通过发射和接收第二电信号来获取第二电容测量，其中所述第一及第二传感器电极其中之一执行发射以及所述第一及第二传感器电极其中另一个执行接收，以及其中第一及第二电容测量是非退化的。处理系统配置成利用第一和第二电容测量确定位置信息。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 传感器 装置 | ||
【主权项】：
一种电容传感器装置，包括：第一传感器电极；第二传感器电极；以及处理系统，其与所述第一传感器电极和所述第二传感器电极相耦合，所述处理系统配置成：通过利用所述第一传感器电极发射和接收第一电信号来获取第一电容测量，通过发射和接收第二电信号来获取第二电容测量，其中所述第一及第二传感器电极其中之一执行所述发射且所述第一及第二传感器电极中的另一个执行所述接收，其中所述第一和第二电容测量是非退化的，以及利用所述第一和第二电容测量确定第一位置信息。
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