[发明专利]氮化物半导体发光元件

摘要

本发明提供一种可使形成于非极性面上的发光元件中光限制性提高、且可降低因位错而导致的光学损失的氮化物半导体发光元件。核心半导体区域15、第一覆盖区域17及第二覆盖区域19搭载于GaN的支撑基体13的非极性的主面13a上。核心半导体区域15包含有源层21及载流子阻挡层23。第一覆盖区域17包含n型AlGaN覆盖层25及n型InAlGaN覆盖层26。n型InAlGaN覆盖层26设置于n型AlGaN覆盖层25与有源层21之间。界面27b处的错配位错密度大于界面27a处的错配位错密度。AlGaN覆盖层25相对于GaN支撑基体13产生晶格弛豫，InAlGaN覆盖层26相对于AlGaN覆盖层25产生晶格弛豫。

主权项

一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，包括：包含六方晶系氮化镓半导体的支撑基体；包含第一导电型氮化镓基半导体的第一覆盖区域；包含第二导电型氮化镓基半导体的第二覆盖区域；及含有有源层及载流子阻挡层的核心半导体区域；且所述六方晶系氮化镓半导体的c轴朝向与所述支撑基体的所述主面的法线轴不同的方向，并且通过所述六方晶系氮化镓半导体的c轴及所述支撑基体的所述法线轴所规定的平面沿预定的方向延伸，所述核心半导体区域设置于所述第一覆盖区域与所述第二覆盖区域之间，所述核心半导体区域、所述第一覆盖区域及所述第二覆盖区域搭载于所述支撑基体的所述主面上，所述第一覆盖区域含有AlGaN覆盖层及InAlGaN覆盖层，所述第一覆盖区域的所述InAlGaN覆盖层设置于所述第一覆盖区域的所述AlGaN覆盖层与所述有源层之间，所述第一覆盖区域的所述InAlGaN覆盖层与所述核心半导体区域形成结。