[发明专利]氮化物半导体发光元件

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，包括：

包含六方晶系氮化镓半导体的支撑基体；

包含第一导电型氮化镓基半导体的第一覆盖区域；

包含第二导电型氮化镓基半导体的第二覆盖区域；及

含有有源层及载流子阻挡层的核心半导体区域；且

所述六方晶系氮化镓半导体的c轴朝向与所述支撑基体的所述主面的法线轴不同的方向，并且通过所述六方晶系氮化镓半导体的c轴及所述支撑基体的所述法线轴所规定的平面沿预定的方向延伸，

所述核心半导体区域设置于所述第一覆盖区域与所述第二覆盖区域之间，

所述核心半导体区域、所述第一覆盖区域及所述第二覆盖区域搭载于所述支撑基体的所述主面上，

所述第一覆盖区域含有AlGaN覆盖层及InAlGaN覆盖层，

所述第一覆盖区域的所述InAlGaN覆盖层设置于所述第一覆盖区域的所述AlGaN覆盖层与所述有源层之间，

所述第一覆盖区域的所述InAlGaN覆盖层与所述核心半导体区域形成结。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，在所述第一覆盖区域中，所述InAlGaN覆盖层与所述AlGaN覆盖层的界面处的错配位错密度大于所述核心半导体区域与所述第一覆盖区域的界面处的错配位错密度。

3.如权利要求2所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，在所述第一覆盖区域中，所述InAlGaN覆盖层与所述AlGaN覆盖层的界面的错配位错密度为1×10⁴cm^-1以上。

4.如权利要求2或3所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述核心半导体区域与所述第一覆盖区域的界面的错配位错密度低于1×10⁴cm^-1。

5.如权利要求1至4中任一项所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，在所述第一覆盖区域中，所述AlGaN覆盖层的Al含量为0.05以上且为0.2以下。

6.如权利要求1至5中任一项所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，在所述第一覆盖区域中，所述InAlGaN覆盖层的厚度比所述AlGaN覆盖层的厚度薄。

7.如权利要求1至6中任一项所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，在所述第一覆盖区域中，所述InAlGaN覆盖层的带隙为所述AlGaN覆盖层的带隙以下。

8.如权利要求7所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，在所述第一覆盖区域中，所述InAlGaN覆盖层的膜厚为0.05μm以上且为0.3μm以下。

9.如权利要求1至6中任一项所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，在所述第一覆盖区域中，所述InAlGaN覆盖层的带隙为所述AlGaN覆盖层的带隙以上。

10.如权利要求9所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，在所述第一覆盖区域中，所述InAlGaN覆盖层的膜厚为0.05μm以上且为1.0μm以下。

11.如权利要求1至10中任一项所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述核心半导体区域含有第一光导层；

所述第一光导层与所述第一覆盖区域的所述InAlGaN覆盖层形成结；

所述第一覆盖区域的所述InAlGaN覆盖层中的InAlGaN固有的晶格常数在所述核心半导体区域的所述第一光导层的氮化镓基半导体中固有的晶格常数以下；

所述第一覆盖区域的所述InAlGaN覆盖层的晶格常数大于所述第一覆盖区域的所述AlGaN覆盖层的晶格常数。

12.如权利要求11所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述InAlGaN覆盖层在c轴朝所述主面的投影方向上与所述第一光导层晶格匹配。

13.如权利要求1至12中任一项所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，

所述第一覆盖区域具有n型导电性；

所述第一覆盖区域的所述AlGaN覆盖层与所述支撑基体的界面处的错配位错密度大于所述核心半导体区域与所述第一覆盖区域的界面处的错配位错密度。