[发明专利]用保形氮化物形成耐用由上至下硅纳米线结构的方法和该结构有效
| 申请号： | 201080020644.7 | 申请日： | 2010-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN102422401A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | T.巴维茨;L.塞卡里克;J.W.斯莱特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种纳米线产品及其制造工艺，该纳米线产品包括：具有埋设氧化物(BOX)上层的晶片，在该BOX层中形成有阱，并且纳米线的端部位于BOX层上，以形成横跨在阱之上的梁。掩模涂层形成在BOX层的上表面上，在梁的中心部分之上保留未涂布窗口，并且还在梁中心部分的每个端部与阱的侧壁之间的梁中间端部周围形成掩模涂层。经由窗口施加氧，以减薄梁中心部分，同时使阱之上的线中间端部更厚且总体具有弧形形状。热氧化涂层可设置在线上，并且在氧化之前也设置在BOX层上的掩模上。 | ||
| 搜索关键词： | 用保形 氮化物 形成 耐用 上至下硅 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制造纳米线产品的方法，包括：提供具有埋设氧化物(BOX)上层(14)的晶片(12)，在该埋设氧化物层(14)中形成有阱(22)，该晶片(12)还具有纳米线(20)，该纳米线(20)的端部支撑在该埋设氧化物层(14)上，从而形成横跨在所述阱(22)上的梁；以及在该埋设氧化物层(14)的上表面上形成掩模(26)涂层，而在所述阱(22)之上的所述梁的中心部分(21)上保留未涂布窗口，并且也在所述梁中心部分(21)的每个端部与所述阱(22)的侧壁之间的梁中间端部周围形成掩模(26)涂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
