[发明专利]用保形氮化物形成耐用由上至下硅纳米线结构的方法和该结构

权利要求书

1.一种制造纳米线产品的方法，包括：

提供具有埋设氧化物(BOX)上层(14)的晶片(12)，在该埋设氧化物层(14)中形成有阱(22)，该晶片(12)还具有纳米线(20)，该纳米线(20)的端部支撑在该埋设氧化物层(14)上，从而形成横跨在所述阱(22)上的梁；以及

在该埋设氧化物层(14)的上表面上形成掩模(26)涂层，而在所述阱(22)之上的所述梁的中心部分(21)上保留未涂布窗口，并且也在所述梁中心部分(21)的每个端部与所述阱(22)的侧壁之间的梁中间端部周围形成掩模(26)涂层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：经由所述窗口(41)提供氧至所述纳米线(20)上和所述阱(22)中，以减薄所述梁中心部分(21)。

3.根据权利要求2所述的方法，其中每个所述梁中间端部被减薄至小于所述梁中心部分(21)。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述阱(22)中的所述梁中间端部总体具有比所述梁中心部分(21)更厚的形状。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米线(20)由硅制成。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述掩模(26)选自氮化硅、碳化硅、硅锗以及多晶硅构成的组。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，还包括以下步骤：在所述阱(22)的底部形成栅极电极。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括以下步骤：在所述纳米线(20)的每个端部为源极和漏极提供电接触区域。

9.根据权利要求8所述的方法，其中形成的栅极围绕所述阱(22)之上的所述梁的中心部分(21)。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述形成栅极电极的步骤是在所述梁中心部分(21)减薄之后执行。

11.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，还包括以下步骤：在所述掩模(26)形成之前，在所述纳米线(20)的周围设置一层氧化物。

12.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，还包括以下步骤：在所述掩模(26)形成之前在所述纳米线(20)的周围设置一层氧化物，并且在其形成之后在所述掩模(26)之上设置一层氧化物。

13.一种纳米线产品，包括：

晶片(12)，具有埋设氧化物(BOX)上层(14)，在埋设氧化物层(14)中形成有具有侧壁的阱(22)；

纳米线(20)，具有支撑在该埋设氧化物层(14)上的端部，以形成横跨在所述阱(22)上和所述侧壁上的梁；以及

硬掩模(26)，涂布在所述埋设氧化物层(14)的上表面上以及在所述阱(22)的每个侧壁与所述梁的中心部分(21)的端部之间的所述梁的中间端部周围，在所述梁的中心部分(21)之上保留未涂布窗口(41)，经由所述窗口(41)发生所述梁的中心部分(21)的氧化。

14.根据权利要求13所述的纳米线产品，在氧化之后去除所述硬掩模(26)，使每个所述梁中间端部减薄为小于所述梁中心部分(21)。

15.根据权利要求14所述的纳米线产品，还包括所述阱(22)的底壁上的栅极电极。

16.根据权利要求15所述的纳米线产品，还包括在所述纳米线(20)的支撑在所述埋设氧化物层(14)上的一端处的晶体管源极以及在所述纳米线(20)的另一端处的晶体管漏极。

17.根据权利要求14所述的纳米线产品，其中所述阱(22)中的所述梁中间端部总体具有比梁中心部分(21)更厚的形状。

18.根据权利要求14所述的纳米线产品，其中所述纳米线(20)由硅制成，而所述硬掩模(26)由氮化硅制成。

19.根据权利要求13-18中任一项所述的纳米线产品，还包括所述掩模(26)之下的所述纳米线(20)周围的一层氧化物。

20.根据据权利要求13-18中任一项所述的纳米线产品，还包括在所述硬掩模(26)之下的所述纳米线(20)周围的一层氧化物以及在所述硬掩模(26)之上的一层氧化物。