[发明专利]受控量子点生长有效
| 申请号： | 201080019838.5 | 申请日： | 2010-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102428561A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 埃泽齐埃尔·克鲁格里克 | 申请（专利权）人： | 英派尔科技开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开一般地涉及受控量子点生长技术以及量子点结构。在一些示例中，描述了一种包括以下步骤中的一项或多项的方法：提供衬底，在衬底上形成缺陷，在衬底上沉积层，以及沿缺陷形成量子点。 | ||
| 搜索关键词： | 受控 量子 生长 | ||
【主权项】：
一种用于量子点生长的方法，包括：提供衬底；沿衬底的表面按一定图案形成缺陷区；以及在衬底的表面上沉积第一材料，使得沿衬底的表面在缺陷区中形成量子点，其中量子点的形成至少部分地基于所述图案。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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