[发明专利]受控量子点生长

权利要求书

1.一种用于量子点生长的方法，包括：

提供衬底；

沿衬底的表面按一定图案形成缺陷区；以及

在衬底的表面上沉积第一材料，使得沿衬底的表面在缺陷区中形成量子点，其中量子点的形成至少部分地基于所述图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中衬底包括硅，以及第一材料包括锗。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在衬底上形成缺陷包括在衬底中形成沟槽。

4.根据权利要求3所述的方法，其中沟槽具有第一边缘和第二边缘，以及量子点主要沿第一边缘和第二边缘形成。

5.根据权利要求3所述的方法，还包括：以第二材料填充沟槽。

6.根据权利要求1所述的方法，其中衬底包括硅晶片，以及第二材料包括锗硅。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：在沟槽填充材料之后对衬底进行平滑处理。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在衬底上沉积材料包括使用分子束外延沉积材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在衬底上形成缺陷包括在衬底上沉积线。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：在沉积的材料上形成薄膜层，以及在薄膜层上沉积材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其中衬底和薄膜层由相同材料制成。

12.根据权利要求10所述的方法，其中薄膜层的厚度在约0.25μm至约0.5μm之间。

13.一种量子点器件，包括：

衬底，具有沿衬底的表面按一定图案形成的缺陷区；以及

多个量子点，主要位于缺陷区的边缘，其中量子点的位置至少部分地基于所述图案。

14.根据权利要求13所述的量子点器件，还包括：沉积在衬底上的第一材料，其中量子点在第一材料上。

15.根据权利要求14所述的量子点器件，其中衬底包括硅，以及第一材料包括锗。

16.根据权利要求13所述的量子点器件，其中缺陷包括在衬底的表面中形成的沟槽。

17.根据权利要求16所述的量子点器件，还包括：填充沟槽的第二材料。

18.根据权利要求13所述的量子点器件，其中缺陷包括具有方形轮廓的缺陷。

19.根据权利要求13所述的量子点器件，其中缺陷包括按栅格排列的缺陷。

20.根据权利要求12所述的量子点器件，其中缺陷包括衬底表面上的材料。

21.一种计算机可访问介质，其上存储有计算机可执行指令，所述指令用于执行量子点生长过程，所述量子点生长过程包括：

沿衬底的表面按一定图案形成缺陷区；以及

在衬底的表面上沉积第一材料，使得沿衬底的表面在缺陷区中形成量子点，其中量子点的形成至少部分地基于所述图案。

22.根据权利要求21所述的计算机可访问介质，其中在衬底上形成缺陷包括在衬底中形成沟槽。

23.根据权利要求21所述的计算机可访问介质，其中所述量子点生长过程还包括以第二材料填充沟槽。

24.根据权利要求23所述的计算机可访问介质，所述量子点生长过程还包括在沟槽填充材料之后对衬底进行平滑处理。

25.根据权利要求21所述的计算机可访问介质，其中在衬底上沉积材料包括使用分子束外延沉积材料。

26.根据权利要求21所述的计算机可访问介质，其中在衬底上形成缺陷包括在衬底上沉积线。