[发明专利]形成用于可再充电电池元的硅阳极材料的方法有效
| 申请号： | 201080019434.6 | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN102414333B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | P·J·雷纳 | 申请（专利权）人： | 奈克松有限公司 |
| 主分类号： | C22C21/02 | 分类号： | C22C21/02;C22C21/04;C01B33/00;C22C3/00;C30B28/02;H01M4/58;H01M10/052 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 杨晓光,于静 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种形成用于可再充电电池元的硅阳极材料的方法。所述方法包括提供金属基体，该基体包含不多于30wt％的硅，包括分散在其中的硅结构。所述方法还包括至少部分地蚀刻所述金属基体以至少部分地隔离所述硅结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 用于 充电电池 阳极 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种形成用于可再充电电池元的硅阳极材料的方法，所述方法包括：提供金属基体，该基体包含不多于30wt％的硅，包括分散在其中的硅结构；以及蚀刻所述金属基体以释放所述硅结构，所述硅结构包括具有至少5的纵横比和小于2μm的最小尺寸的结构单元，以及所述硅结构包括选自薄片、线和柱的分立的结构单元或包含选自薄片、线和柱的整体连接的结构单元的多孔结构；其中通过固化熔融金属‑硅合金来提供包括分散在其中的硅结构的所述金属基体，所述熔融金属‑硅合金包括比在共晶混合物中存在的硅更多的硅，以及其中所述金属基体中的所述硅结构包括微结构，其中所述微结构的30％到100％由具有至少5的纵横比的结构单元构成。
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