[发明专利]具有基于聚硅氮烷的阻挡层的太阳能电池有效
| 申请号： | 201080018736.1 | 申请日： | 2010-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102414828A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | K·罗德;S·斯图加诺维克;J·斯克涅比斯;C·考弗曼;H-W·斯考克 | 申请（专利权）人： | 科莱恩金融(BVI)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 邓毅 |
| 地址： | 英属维尔京*** | 国省代码： | 维尔京群岛;VG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 薄膜太阳能电池(10)，包括由金属或玻璃构成的基材(1)、基于聚硅氮烷的介电阻挡层(2)和铜-铟-硫化物(CIS)或铜-铟-镓-硒化物(CIGSe)型光伏层状结构(4)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 基于 聚硅氮烷 阻挡 太阳能电池 | ||
【主权项】：
黄铜矿太阳能电池(10)，包括基材(1)、光伏层状结构(4)和处于二者之间的基于聚硅氮烷的介电阻挡层(2)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
