[发明专利]具有基于聚硅氮烷的阻挡层的太阳能电池

权利要求书

1.黄铜矿太阳能电池(10)，包括基材(1)、光伏层状结构(4)和处于二者之间的基于聚硅氮烷的介电阻挡层(2)。

2.根据权利要求1的太阳能电池(10)，其特征在于，其设置成薄膜太阳能电池，并具有铜-铟-硫化物(CIS)或铜-铟-镓-硒化物(CIGSe)型光伏层状结构(4)。

3.根据权利要求1或2的太阳能电池(10)，其特征在于，光伏层状结构(4)包括由钼构成的后触点(41)，组成为CuInSe₂、CuInS₂、CuGaSe₂、CuIn_1-xGa_xSe₂其中0＜x≤0.5或Cu(InGa)(Se_1-yS_y)₂其中0＜y≤1的吸收体(42)，由CdS构成的缓冲体(43)，由ZnO或ZnO:Al构成的窗层(44)以及由Al或银构成的前触点(45)。

4.根据权利要求1、2或3的太阳能电池(10)，其特征在于，基材(1)由包含金属、金属合金、玻璃、陶瓷或塑料的材料构成。

5.根据权利要求1-4一项或多项的太阳能电池(10)，其特征在于，基材(1)以膜的形式，特别是以钢膜或钛膜的形式形成。

6.根据权利要求1-5一项或多项的太阳能电池(10)，其特征在于，阻挡层(2)由硬化的聚硅氮烷和添加剂在溶剂中的溶液构成，该溶剂优选是二丁基醚。

7.根据权利要求1-6一项或多项的太阳能电池(10)，其特征在于，阻挡层(2)含有钠或包括含钠的前驱层(21)。

8.根据权利要求1-7一项或多项的太阳能电池(10)，其特征在于，阻挡层(2)具有100-3000nm，优选200-2500nm，以及特别是300-2000nm的厚度。

9.根据权利要求1-8一项或多项的太阳能电池(10)，其特征在于，阻挡层(2)具有根据DIN IEC 60093测定的大于1·10⁹MΩ·cm，优选大于1·10¹⁰MΩ·cm，和特别地大于1·10¹¹MΩ·cm的比体积电阻。

10.根据权利要求1-9一项或多项的太阳能电池(10)，其特征在于，阻挡层(2)在基材(1)上具有根据DIN-EN-ISO 2409用20mm胶带宽度测定的大于5N，优选大于7N，和特别地大于10N的粘附强度。

11.根据权利要求1-10一项或多项的太阳能电池(10)，其特征在于，其包括包封层(5)，该包封层由硬化的聚硅氮烷和添加剂在溶剂中的溶液构成。

12.根据权利要求1-11一项或多项的太阳能电池(10)，其特征在于，阻挡层(2)和任选地包封层(5)由通式(I)的聚硅氮烷制备，

-(SiR′R″-NR″′)n-(I)

其中R′、R″、R″′相同或不同，并且彼此独立地为氢或任选取代的烷基、芳基、乙烯基或(三烷氧基甲硅烷基)烷基残基，其中n为整数并如此确定n，使得所述聚硅氮烷具有150-150000g/mol，优选50000-150000g/mol，和特别为100000-150000g/mol的数均分子量。

13.根据权利要求12的太阳能电池(10)，其特征在于，至少一种聚硅氮烷选自其中R′、R″和R″′＝H的全氢聚硅氮烷。